一种Open Mask表面IZO蒸镀材料的清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112553571A(43)申请公布日2021.03.26(21)申请号202011449215.3H01L51/56(2006.01)(22)申请日2020.12.09(71)申请人四川富乐德科技发展有限公司地址641000四川省内江市市中区安泰路691号(72)发明人邹专政惠朝先邱俊吕先锋陈运友(74)专利代理机构北京盛凡智荣知识产权代理有限公司11616代理人林淡如(51)Int.Cl.C23C14/04(2006.01)C23C14/24(2006.01)B08B3/08(2006.01)B08B3/12(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗方法(57)摘要本发明公开了一种OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗方法，包括以下步骤：步骤10、浸泡；步骤20、超声波纯水清洗；步骤30、无尘超声波纯水清洗；步骤40、干燥。本发明能在保证OpenMask本体的完好度的前提下清洗去除OpenMask表面IZO蒸镀材料。CN112553571ACN112553571A权利要求书1/1页1.一种OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤10、浸泡：将待清洗的OpenMask放入50％草酸溶液中浸泡，浸泡过程中草酸溶液温度为40±5℃；步骤20、超声波纯水清洗：将步骤10中经过浸泡的OpenMask送入超声波纯水槽中进行超声波纯水清洗，超声波纯水清洗过程中，超声波功率为900±100W，超声波能量密度为5w/inch2‑10w/inch2；步骤30、无尘超声波纯水清洗：将步骤20中经超声波纯水清洗的OpenMask送入无尘室进行超声波纯水清洗，超声波纯水清洗过程中，超声波功率为900±100W，超声波能量密度为5w/inch2‑10w/inch2；步骤40、干燥:将步骤30中经过无尘超声波纯水清洗的OpenMask在无尘室进行干燥，即可完成OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗。2.根据权利要求1所述的一种OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗方法，其特征在于，步骤10中，所述浸泡时间为10min。3.根据权利要求1所述的一种OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗方法，其特征在于，步骤40中，所述干燥方式为自然晾干。4.根据权利要求1所述的一种OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗方法，其特征在于，步骤40中，所述干燥温度为20℃。2CN112553571A说明书1/2页一种OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗方法技术领域[0001]本发明属于OpenMask表面IZO蒸镀材料清洗领域，具体涉及一种OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗方法。背景技术[0002]OpenMask是OLED蒸镀制程中的关键治具，在其使用过程中表面会附着蒸镀材料，若蒸镀材料附着过多将会影响OLED产品质量。所以需对OpenMask进行定期的洗净再生，以确保OLED产品质量。目前国内OpenMask洗净再生相关暂处于空白领域。发明内容[0003]本发明所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足，提供一种OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗方法，能在保证OpenMask本体的完好度的前提下清洗去除OpenMask表面IZO蒸镀材料。[0004]本发明所采用的技术方案是：一种OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗方法，包括以下步骤：[0005]步骤10、浸泡：将待清洗的OpenMask放入50％草酸溶液中浸泡，浸泡过程中草酸溶液温度为40±5℃；[0006]步骤20、超声波纯水清洗：将步骤10中经过浸泡的OpenMask送入超声波纯水槽中进行超声波纯水清洗，超声波纯水清洗过程中，超声波功率为900±100W，超声波能量密度为5w/inch2‑10w/inch2；[0007]步骤30、无尘超声波纯水清洗：将步骤20中经超声波纯水清洗的OpenMask送入无尘室进行超声波纯水清洗，超声波纯水清洗过程中，超声波功率为900±100W，超声波能量密度为5w/inch2‑10w/inch2；[0008]步骤40、干燥:将步骤30中经过无尘超声波纯水清洗的OpenMask在无尘室进行干燥，即可完成OpenMask表面IZO蒸镀材料的清洗。[0009]其中一个实施例中，步骤10中，所述浸泡时间为10min。[0010]其中一个实施例中，步骤40中，所述干燥方式为自然晾干。[0011]其中一个实施例中，步骤40中，所述干燥温度为20℃。[0012]本发明的有益效果在于：能在保证OpenMask本体的完好度的前提下清洗去除OpenMask表面IZO蒸镀材料。具体实施方式[0013]下