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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111472013A(43)申请公布日2020.07.31(21)申请号202010271212.9(22)申请日2020.04.08(71)申请人四川富乐德科技发展有限公司地址641000四川省内江市市中区安泰路691号(72)发明人惠朝先王佳欣邱俊(74)专利代理机构北京盛凡智荣知识产权代理有限公司11616代理人李青(51)Int.Cl.C23G5/036(2006.01)C23C14/04(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种OLED掩膜版OpenMask表面蒸镀材料清洗方法(57)摘要本发明公开了一种OLED掩膜版OpenMask表面蒸镀材料清洗方法,涉及OLED面板生产技术领域,本发明包括如下步骤:根据openmask部件结构形态,选取与之匹配的工装夹具进行固定;选取耐N-甲基吡咯烷酮腐蚀的材料制作药液浸泡槽;将电子级的N-甲基吡咯烷酮加入到所述药液浸泡槽中;将所述openmask部件放入所述药液浸泡槽中进行反应;将反应过后的openmask部件取出,放入去离子水槽中漂洗;将漂洗处理完成后的openmask部件放入真空烘箱内干燥处理,具有能够有效清除OpenMask部件蒸镀膜,同时避免溶剂残留对于部件清洗质量的影响等优点。CN111472013ACN111472013A权利要求书1/1页1.一种OLED掩膜版OpenMask表面蒸镀材料清洗方法,其特征在于,包括如下步骤:根据openmask部件结构形态,选取与之匹配的工装夹具进行固定;选取耐N-甲基吡咯烷酮腐蚀的材料制作药液浸泡槽;将电子级的N-甲基吡咯烷酮加入到所述药液浸泡槽中;将所述openmask部件放入所述药液浸泡槽中进行反应;将反应过后的openmask部件取出,放入去离子水槽中漂洗;将漂洗处理完成后的openmask部件放入真空烘箱内干燥处理。2.如权利要求1所述的OLED掩膜版OpenMask表面蒸镀材料清洗方法,其特征在于,所述openmask部件在去离子水槽中漂洗的具体条件为:所述去离子水槽位于100级/10级无尘室中,所述去离子水槽中的去离子水保持溢流状态,时间为29-31分钟。3.如权利要求1所述的OLED掩膜版OpenMask表面蒸镀材料清洗方法,其特征在于,所述真空箱内干燥处理的具体条件为:温度59-61℃,时间1-3小时。4.如权利要求1所述的OLED掩膜版OpenMask表面蒸镀材料清洗方法,其特征在于,所述openmask部件放入所述药液浸泡槽中进行反应的放入速度控制在3~5cm/s。5.如权利要求1所述的OLED掩膜版OpenMask表面蒸镀材料清洗方法,其特征在于,所述耐N-甲基吡咯烷酮腐蚀的材料为特氟龙、不锈钢。2CN111472013A说明书1/4页一种OLED掩膜版OpenMask表面蒸镀材料清洗方法技术领域[0001]本发明属于OLED面板生产技术领域,具体涉及一种OLED掩膜版OpenMask表面蒸镀材料清洗方法。背景技术[0002]真空蒸镀是OLED面板生产过程中的关键环节,而作为有机材料及金属材料蒸镀掩膜版的OpenMask为其关键结构部件。OpenMask在使用一段时间后,表面会形成一层蒸镀膜,严重影响到产品的精度和良率。由于OpenMask部件相当薄,普通的清洗方法容易导致OpenMask部件变形、报废。发明内容[0003]本发明的目的在于:针对现有技术OLED掩膜版openmask有机蒸镀之后,孔径结构与精度受到影响无法使用,表面会形成一层蒸镀膜,难以清除,严重影响产品精度和良率的问题,提供一种OLED掩膜版OpenMask表面蒸镀材料清洗方法。[0004]本发明采用的技术方案如下:[0005]一种OLED掩膜版OpenMask表面蒸镀材料清洗方法,包括如下步骤:[0006]根据openmask部件结构形态,选取与之匹配的工装夹具进行固定;[0007]选取耐N-甲基吡咯烷酮腐蚀的材料制作药液浸泡槽;[0008]将电子级的N-甲基吡咯烷酮加入到所述药液浸泡槽中;[0009]将所述openmask部件放入所述药液浸泡槽中进行反应;[0010]将反应过后的openmask部件取出,放入去离子水槽中漂洗;[0011]将漂洗处理完成后的openmask部件放入真空烘箱内干燥处理。[0012]作为优选,所述openmask部件在去离子水槽中漂洗的具体条件为:所述去离子水槽位于100级/10级无尘室中,所述去离子水槽中的去离子水保持溢流状态,时间为29-31分钟。[0013]作为优选,所述真空箱内干燥处理的具体条件为:温度59-61℃,时间1-3小时。[0014]作为优选,所述openmask部件放入所述药液浸泡槽