一种OLED掩膜版Open Mask表面LiF材料清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112676243A(43)申请公布日2021.04.20(21)申请号202011449274.0(22)申请日2020.12.09(71)申请人四川富乐德科技发展有限公司地址641000四川省内江市市中区安泰路691号(72)发明人惠朝先邱俊吕先锋王佳欣李奎向志强(74)专利代理机构北京盛凡智荣知识产权代理有限公司11616代理人林淡如(51)Int.Cl.B08B3/08(2006.01)B08B3/04(2006.01)B08B3/12(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料清洗方法(57)摘要本发明公开了一种OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料清洗方法，包括以下步骤：步骤10、固定；步骤20、药水配置；步骤30、超声波振板安装；步骤40、去除膜层；步骤50、溢流超声波清洗；步骤60、脱水；步骤70、干燥。本发明通过对药水类型的选择和比例的控制，能够在不损伤产品本体的情况下使LiF膜层从OpenMask部件表面剥离，从而实现OpenMask部件洗净再生、二次利用的目的。CN112676243ACN112676243A权利要求书1/1页1.一种OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤10、固定：根据OpenMask部件的结构，选择匹配的工装治具对其进行固定备用；步骤20、药水配置：按1：1‑3：2‑4的体积比将电子级NH3·H2O、电子级H2O2和10MΩ以上的纯水置于药水槽内，搅拌混合均匀得到混合药水；步骤30、超声波振板安装：在药水槽内侧壁安装超声波振板；步骤40、去除膜层:将步骤10中固定好的OpenMask部件放入药水槽内浸泡，浸泡时间为0.5h‑1h，浸泡过程中开启超声波震荡，超声波频率为60KHz，超声波能量密度为20w/inch2‑40w/inch2，去除OpenMask部件表面膜层；步骤50、溢流超声波清洗：将步骤50中去除表面膜层的OpenMask部件送入超声波纯水槽中进行溢流超声波纯水清洗，去除OpenMask部件表面残留的材料或化学物质，溢流超声波纯水清洗过程中，超声波频率为60KHz，超声波能量密度为20w/inch2‑40w/inch2，溢流超声波纯水清洗＞30min；步骤60、脱水：将步骤50中溢流超声波纯水清洗后的OpenMask部件送入IPA槽中进行IPA脱水，脱水时间为1h；步骤70、干燥：将步骤60中完成IPA脱水的OpenMask部件取出进行洁净干燥处理，即可完成对OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料的清洗。2.根据权利要求1所述的一种OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料清洗方法，其特征在于，步骤20中，电子级NH3·H2O、电子级H2O2和10MΩ以上的纯水体积比为1:1:2。3.根据权利要求1所述的一种OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料清洗方法，其特征在于，步骤20中，电子级NH3·H2O、电子级H2O2和10MΩ以上的纯水体积比为1:2:3。4.根据权利要求1所述的一种OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料清洗方法，其特征在于，步骤20中，电子级NH3·H2O、电子级H2O2和10MΩ以上的纯水体积比为1:2:4。5.根据权利要求1所述的一种OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料清洗方法，其特征在于，步骤20中，电子级NH3·H2O、电子级H2O2和10MΩ以上的纯水体积比为1:3:4。6.根据权利要求1所述的一种OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料清洗方法，其特征在于，步骤40中，根据OpenMask部件表面膜层状况和去除膜层效果，调整浸泡时间和浸泡次数。7.根据权利要求1所述的一种OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料清洗方法，其特征在于，步骤70中，洁净干燥处理方法具体为：在温度为50℃‑100℃且洁净级为1000级或100级的环境中干燥4h‑8h。2CN112676243A说明书1/5页一种OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料清洗方法技术领域[0001]本发明属于OLED坩埚部件清洗领域，具体涉及一种OLED掩膜版OpenMask表面LiF材料清洗方法。背景技术[0002]OLED显示技术作为国际上一种新型的且蓬勃发展的显示技术，尤其是在OLED面板生产过程中的真空蒸镀工艺，是整个OLED工艺制程中的核心和目前的技术发展瓶颈所在。在OLED真空蒸镀工艺中，一般分为有机材料、金属材料和无机化合物材料的蒸镀，其中的OLED蒸镀掩膜版OpenMask部件，更是影响蒸镀工艺均匀性的核心蒸镀部件。而对应于每种蒸镀工艺中的核心设备