一种烧结钕铁硼磁体及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863039A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211528933.9(22)申请日2022.11.30(71)申请人天津三环乐喜新材料有限公司地址300457天津市滨海新区塘沽经济技术开发区洪泽路22号申请人北京中科三环高技术股份有限公司(72)发明人李志学曹利军程言志李绍芳赵凯杜飞韩雪(74)专利代理机构北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙)11447专利代理师王浩然(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)H01F1/057(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图1页(54)发明名称一种烧结钕铁硼磁体及其制备方法(57)摘要本公开涉及一种烧结钕铁硼磁体，一种制备烧结钕铁硼磁体的方法，该方法包括如下步骤：S1、制备烧结钕铁硼磁体基材；S2、在所述烧结钕铁硼磁体基材表面附着含有RE的扩散源，然后进行晶界扩散处理和回火处理；RE为Dy和/或Tb；其中，所述晶界扩散处理包括初始扩散热处理和N级扩散工艺段，N≥1，每级所述扩散工艺段依次包括：高温扩散热处理和低温扩散热处理；所述低温扩散热处理的条件包括：温度为850～950℃，时间为6～12h；所述高温扩散热处理的温度低于烧结处理的温度，且比所述低温扩散热处理的温度高50～200℃，时间为2～8h。该方法能够促进晶界扩散工艺中重稀土元素向烧结磁体的中心区域扩散，进一步提高烧结钕铁硼磁体的综合磁性能。CN115863039ACN115863039A权利要求书1/1页1.一种制备烧结钕铁硼磁体的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：S1、制备烧结钕铁硼磁体基材；S2、在所述烧结钕铁硼磁体基材表面附着含有RE的扩散源，然后进行晶界扩散处理和回火处理；RE为Dy和/或Tb；其中，所述晶界扩散处理包括初始扩散热处理和N级扩散工艺段，N≥1，每级所述扩散工艺段依次包括：高温扩散热处理和低温扩散热处理；所述初始扩散热处理的条件包括：温度为800～980℃，时间为6～12h；所述低温扩散热处理的条件包括：温度为850～950℃，时间为6～12h；所述高温扩散热处理的温度低于烧结处理的温度，且比所述低温扩散热处理的温度高50～200℃，时间为2～8h。2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S1得到的烧结钕铁硼磁体基材包含28.5‑33.5wt％的R、0.2‑2.0wt％的M、0.87‑1.0wt％的B以及余量的T；其中，R选自Nd、Y、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Ho、Er、Tm、Yb、Dy、Tb和Lu中的一种或几种；M选自Cu、Al、Ga、Zr、Nb、Mn、Mg、Co、Zn、Si、Cr、Sn、Ni和Ti中的一种或几种；T为Fe，或者为Fe和Co的混合物，其中，T中的Fe的含量为90wt％以上。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤S1中，采用如下步骤制备所述烧结钕铁硼磁体基材：S01、将合金原料置于真空感应炉中熔炼和浇铸，得到合金速凝片；S02、将所述合金速凝片进行氢破碎处理后，得到合金氢化粉；S03、将所述合金氢化粉进行微粉碎处理后，得到合金微粉；S04、将所述合金微粉置于磁场中进行取向成型处理后，将得到的成型的压坯在真空环境下进行烧结处理和机械加工处理，得到所述烧结钕铁硼磁体基材。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高温扩散热处理的温度为烧结温度的96％‑99％。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含有RE的扩散源包括RE的氧化物、RE的氟化物、RE的单质或RE的合金的一种或几种。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述含有RE的扩散源中，RE的含量为60‑100wt％。7.根据权利要求1‑6中任意一项所述的方法制备得到的烧结钕铁硼磁体。8.根据权利要求7所述的烧结钕铁硼磁体，其中，所述烧结钕铁硼磁体包含28.9‑33.5wt％的R、0.2‑2.0wt％的M、0.87‑1.0wt％的B以及余量T；其中，R选自Nd、Y、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Ho、Er、Tm、Yb、Dy、Tb和Lu中的一种或几种；M选自Cu、Al、Ga、Zr、Nb、Mn、Mg、Co、Zn、Si、Cr、Sn、Ni和Ti中的一种或几种；T为Fe，或者为Fe和Co的混合物，其中，T中的Fe的含量为90wt％以上。2CN115863039A说明书1/9页一种烧结钕铁硼磁体及其制备方法技术领域[0001]本公开涉及稀土磁体领域，具体地，涉及一种烧结钕铁硼磁体及其制备方法。背景技术[0002]烧结钕铁硼磁体因其具有优异的综合磁性能，广泛应用于电子信息、医疗、交通运输、风力发电、航空航天等领域，且近年来随着我国大力发展清洁、绿色新能源相关规划及政策的推行，烧结钕铁硼磁体作为新能源产业链中的