叠层透明导电膜及其制备方法和器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115020006A(43)申请公布日2022.09.06(21)申请号202210724161.X(22)申请日2022.06.23(71)申请人中国乐凯集团有限公司地址071054河北省保定市乐凯南大街6号(72)发明人刘伟峰牛娟妮臧美秀侯丽新张丽邢爱(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201专利代理师赵静(51)Int.Cl.H01B5/14(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图2页(54)发明名称叠层透明导电膜及其制备方法和器件(57)摘要本发明提供了叠层透明导电膜及其制备方法和器件。该叠层透明导电膜包括：依次自下而上层叠的透明基膜、第一透明电介质层、第一过渡层、合金层以及第二透明电介质层，所述第一过渡层为氮化钛层或氮化钛掺杂层，所述氮化钛掺杂层的掺杂元素为铝、镍、锆、硅和钇中的至少一种。由此，该叠层透明导电膜具有优异的透过率、导电性和稳定性，有效解决金属氧化物类过渡层表面粗糙，不利于合金层沉积，且稳定性差的问题。CN115020006ACN115020006A权利要求书1/2页1.一种叠层透明导电膜，其特征在于，包括：依次自下而上层叠的透明基膜、第一透明电介质层、第一过渡层、合金层以及第二透明电介质层，所述第一过渡层为氮化钛层或氮化钛掺杂层，所述氮化钛掺杂层的掺杂元素为铝、镍、锆、硅和钇中的至少一种。2.根据权利要求1所述的叠层透明导电膜，其特征在于，还包括第二过渡层，所述第二过渡层设置在所述合金层与所述第二透明电介质层之间，所述第二过渡层为氮化钛层或氮化钛掺杂层，所述氮化钛掺杂层的掺杂元素为铝、镍、锆、硅和钇中的至少一种。3.根据权利要求2所述的叠层透明导电膜，其特征在于，所述第一过渡层和/或第二过渡层满足以下条件的至少之一：所述掺杂元素在所述氮化钛掺杂层中的占比不大于1wt％；氮元素与钛元素的摩尔比值为0.8～1.2。4.根据权利要求2所述的叠层透明导电膜，其特征在于，所述第一过渡层和所述第二过渡层的厚度分别独立地为1～20nm，优选1～10nm；任选地，所述第一透明电介质层与所述第二透明电介质层的厚度分别独立地为5‑100nm；任选地，所述合金层的厚度为1‑30nm。5.根据权利要求2所述的叠层透明导电膜，其特征在于，所述第一透明电介质层、所述第二透明电介质层的材质为氧化铟锡；任选地，所述合金层的材质为银与选自金、铝、铜、钯、钛、镍、铬、钽和锗的至少一种组成的合金；任选地，所述透明基膜的材质为树脂或玻璃。6.根据权利要求5所述的叠层透明导电膜，其特征在于，所述树脂包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯中的一种或多种。7.一种制备叠层透明导电膜的方法，其特征在于，包括：(1)在透明基膜的表面上形成第一透明电介质层；(2)在所述第一透明电介质层远离所述透明基膜的表面上形成第一过渡层，所述第一过渡层为氮化钛层或氮化钛掺杂层，所述氮化钛掺杂层的掺杂元素为铝、镍、锆、硅和钇中的至少一种；(3)在所述第一过渡层远离所述透明基膜的表面上形成合金层；(4)在所述合金层远离所述透明基膜的表面上形成第二透明电介质层。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述合金层远离所述透明基膜的表面上形成第二透明电介质层之前，预先在所述合金层远离所述透明基膜的表面上形成第二过渡层，然后在所述第二过渡层远离所述透明基膜的表面上形成第二透明电介质层，其中，所述第二过渡层为氮化钛层或氮化钛掺杂层，所述氮化钛掺杂层的掺杂元素为铝、镍、锆、硅、钇中的至少一种。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一透明电介质层远离所述透明基膜的表面上，通过磁控溅射法形成所述第一过渡层，和/或，在所述合金层远离所述透明基膜的表面上，通过磁控溅射法形成所述第二过渡层；所述磁控溅射法满足以下条件的至少之一：磁控溅射靶材为钛或钛合金；2CN115020006A权利要求书2/2页溅射功率为300～600W；本底气压不大于1×10‑4Pa；工艺气体包括氩气和氮气，所述氮气与氩气的气体流量比为1：(12～18)，所述氩气、所述氮气的纯度不小于99.99％；任选地，所述钛合金为钛铝合金、钛镍合金、钛锆合金、钛硅合金和钛钇合金中的任意一种。10.一种器件，其特征在于，包括权利要求1‑6中任一项所述的叠层透明导电膜或采用权利要求7‑9中任一项所述的方法得到的叠层透明导电膜。3CN115020006A说明书1/9页叠层透明导电膜及其制备方法和器件技术领域[0001]本发明涉及光电学薄膜领域，具体地，涉及叠层透明导电膜及其制备方法和器件。背景技术[0002]透明导电薄膜由于兼备透明和导电性而得到广泛的应用。导电膜的面电阻和透过率不同，应用