透明导电膜及其制备方法和光电器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114743720A(43)申请公布日2022.07.12(21)申请号202210287672.X(22)申请日2022.03.22(71)申请人中国乐凯集团有限公司地址071054河北省保定市乐凯南大街6号(72)发明人刘伟峰臧美秀牛娟妮侯丽新张丽邢爱(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201专利代理师徐章伟(51)Int.Cl.H01B5/14(2006.01)H01B13/00(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图1页(54)发明名称透明导电膜及其制备方法和光电器件(57)摘要本发明公开了透明导电膜、制备方法和光电器件，透明导电膜包括：透明基底；第一透明电介质层，所述第一透明电介质层位于所述透明基底的一侧；金属层，所述金属层位于所述第一透明电介质层远离所述透明基底的一侧；第二透明电介质层，所述第二透明电介质层位于所述金属层远离所述第一透明电介质层的一侧，其中，所述金属层为银合金，所述银合金包括银和掺杂元素，所述掺杂元素包括第一掺杂元素和第二掺杂元素，所述第一掺杂元素包括铜、铝、钛、铬、钼和镍中的至少之一，所述第二掺杂元素包括钪、钇和镧系元素中的至少之一。由此，该透明导电膜具有湿热稳定性较高、制备成本较低以及制备工艺简单的特点。CN114743720ACN114743720A权利要求书1/1页1.一种透明导电膜，其特征在于，包括：透明基底；第一透明电介质层，所述第一透明电介质层位于所述透明基底的一侧；金属层，所述金属层位于所述第一透明电介质层远离所述透明基底的一侧；第二透明电介质层，所述第二透明电介质层位于所述金属层远离所述第一透明电介质层的一侧，其中，所述金属层为银合金，所述银合金包括银和掺杂元素，所述掺杂元素包括第一掺杂元素和第二掺杂元素，所述第一掺杂元素包括铜、铝、钛、铬、钼和镍中的至少之一，所述第二掺杂元素包括钪、钇和镧系元素中的至少之一。2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述银合金中所述掺杂元素的质量分数不大于10wt％，所述掺杂元素中所述第二掺杂元素的质量分数不大于5wt％。3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述金属层的厚度为1‑30nm。4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一透明电介质层的材料和所述第二透明电介质层的材料分别独立地选自金属氧化物、金属氧化物的掺杂物、金属硫化物、金属氟化物、硅的氧化物和硅的氮化物中的至少之一。5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一透明电介质层的厚度为5‑100nm，所述第二透明电介质层的厚度为5‑100nm。6.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基底的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯和三醋酸纤维素中的至少之一。7.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基底的厚度为1‑500μm。8.根据权利要求1所述透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜的方块电阻值不大于30Ω/□，所述透明导电膜在60℃、90％RH，240小时老化后，所述透明导电膜的所述方块电阻值变化率不超过30％。9.一种制备权利要求1‑8中任一项所述的透明导电膜的方法，其特征在于，包括：在透明基底一侧依次形成第一透明电介质层、金属层和第二透明电介质层，其中，所述第一透明电介质层、所述金属层和所述第二透明电介质层是采用磁控溅射法形成的。10.一种光电器件，其特征在于，包括权利要求1‑8中任一项所述的透明导电膜。2CN114743720A说明书1/7页透明导电膜及其制备方法和光电器件技术领域[0001]本发明涉及电子器件领域，具体地，涉及透明导电膜及其制备方法和光电器件。背景技术[0002]近年来，随着柔性光电技术的快速发展，市面上涌出现了柔性OLED显示、柔性OLED照明、大面积触控屏、电致变色智能窗膜、液晶调光膜、薄膜太阳能电池、透明天线、透明电磁波屏蔽膜等新技术、新产品，这同时也对透明导电薄膜提出了低电阻、柔性化、高透光等性能的要求。传统的ITO透明导电膜由于电阻高、柔性差等性能限制，已难以满足柔性光电器件的需求，寻找ITO透明电极替代材料是柔性光电产业发展的迫切需求。[0003]介质层/金属层/介质层(DMD)叠层透明导电薄膜是新型无铟透明导电薄膜之一，这种导电薄膜可以通过调节金属层两侧介质层的厚度从而调节薄膜的透过率，使其在获得较高电导率的同时在可见光区域具有较高透过率。其中Ag在可见光波段的光学损耗较低且具有较低的电阻率(1.62×10‑8Ω·m)，因而作为DMD叠层透明导电膜的金属层材料受到最多关注。但采用Ag作为透明导电薄膜的金属层材料时，透明导电薄膜的稳定性较差，在使