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深N阱工艺去除光刻胶的方法.pdf
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深N阱工艺去除光刻胶的方法.pdf
本发明公开了一种深N阱工艺去除光刻胶的方法，包括以下步骤：对晶圆表面进行灰化处理，灰化处理包括：控制晶圆表面的灰化温度，使晶圆表面保持低于285℃的灰化温度，对光刻胶进行清洗处理，清除经清洗处理后的光刻胶残渣。根据本发明的深N阱工艺去除光刻胶的方法可以有效解决现有技术深N阱工艺的光刻胶去除工艺环节无法完全清除深N阱工艺晶圆表面上残留的微小的光刻胶残渣的问题，提高深N阱工艺制造的半导体器件的一致性，可以有效提高深N阱工艺制造的半导体器件的性能。
2023-11-26
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本发明提供了一种光刻胶去除设备及光刻胶去除方法。所述光刻胶去除设备，用于去除晶圆边缘处光刻胶，其特征在于，包括用于喷射清洗溶液的喷嘴：所述喷嘴的角度能够调整，使清洗溶液的喷射方向从晶圆的边缘向中心移动；所述喷嘴的喷射速度能够调整；所述喷嘴的喷射范围能够调整。本发明通过设置可调节喷嘴，改变清洗溶液的喷射角度、喷射方向、喷射速度和喷射范围，解决了晶圆边缘处的光刻胶及光刻胶底部填充层堆积的问题，解决了晶圆减薄后低凹处残留的光刻胶及光刻胶底部填充层难以去除的问题。
2023-11-07
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光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统.pdf
本申请关于一种用于光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统，涉及芯片制备技术领域。该方法包括：获取表面具有光刻胶，且光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆；将目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；响应于第一指定时长结束，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗；在第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；响应于第二指定时长结束，去除目标晶圆表面残留的第一有机溶剂；通过离心甩干的同时进行气体吹扫的方式对溶剂去除后的目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的目标
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光刻胶去除方法.pdf
本公开提供了一些光刻胶去除方法。光刻胶去除方法包括通过残留气体分析仪对正在经受测试等离子体灰化工艺的多个半导体基板模型的每一者的工艺状态进行分析。用于半导体基板模型的测试等离子体灰化工艺使用多个测试配方；光刻胶去除方法还包括基于残留气体分析仪的分析结果以及至少一个预期的性能标准，选择测试配方的其中一者作为工艺配方。此外，光刻胶去除方法包括根据工艺配方，在半导体基板上进行等离子体灰化工艺，以从半导体基板上去除光刻胶层。
2023-11-14
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本发明公开了一种厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法，该方法在金属铝层刻蚀后，仅通入水汽，在水汽化环境中去除光刻胶。本发明在不改变厚铝刻蚀方法的前提下，通过优化去胶条件，减少了厚铝侧壁聚合物的堆积，从而降低了侧壁聚合物的腰带效应，确保了后续湿法刻蚀后，厚铝侧壁无胶残留；同时，还减少了气体的使用量和去胶时间。
2023-11-22
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