光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113721430A(43)申请公布日2021.11.30(21)申请号202110340148.X(22)申请日2021.03.30(71)申请人腾讯科技（深圳）有限公司地址518057广东省深圳市南山区高新区科技中一路腾讯大厦35层(72)发明人赵仲平张文龙戴茂春淮赛男周宇(74)专利代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138代理人祝亚男(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图5页(54)发明名称光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统(57)摘要本申请关于一种用于光刻胶去除方法以及光刻胶去除系统，涉及芯片制备技术领域。该方法包括：获取表面具有光刻胶，且光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层的目标晶圆；将目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；响应于第一指定时长结束，使用新的第一有机溶剂对目标晶圆进行冲洗；在第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；响应于第二指定时长结束，去除目标晶圆表面残留的第一有机溶剂；通过离心甩干的同时进行气体吹扫的方式对溶剂去除后的目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的目标晶圆。通过上述方法，提高了光刻胶的处理效果，同时提高了获得的金属器件的产品质量。CN113721430ACN113721430A权利要求书1/2页1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，所述方法包括：获取目标晶圆，所述目标晶圆表面具有光刻胶，且所述光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层，所述金属架空层具有三维镂空结构；将所述目标晶圆置于温度为第一温度的第一有机溶剂中水浴浸泡第一指定时长；响应于所述第一指定时长结束，使用新的所述第一有机溶剂对所述目标晶圆进行冲洗；在所述第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的所述目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗；响应于所述第二指定时长结束，去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂；通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆；所述目标处理方式包括在离心甩干的同时进行气体吹扫。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一有机溶剂中，基于指定超声功率对冲洗后的所述目标晶圆进行第二指定时长的超声清洗，包括：将冲洗后的所述目标晶圆置于第二温度的所述第一有机溶剂中；将盛放第二温度的所述第一有机溶剂的容器悬停在超声清洗水面上，所述容器的底部与所述超声清洗水面相接触；基于所述指定超声功率对所述容器中的所述目标晶圆进行所述第二指定时长的超声清洗。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将冲洗后的所述目标晶圆置于第二温度的所述第一有机溶剂中，包括：将冲洗后的所述目标晶圆，以指定角度置于所述第二温度的所述第一有机溶剂中。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述指定角度为45度。5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述指定超声功率是超声清洗机的最低功率。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述响应于所述第二指定时长结束，去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂，包括：响应于所述第二指定时长结束，将所述目标晶圆放置到第二有机溶剂中；基于所述指定超声功率对所述目标晶圆进行第三指定时长的超声清洗，以去除所述目标晶圆表面残留的所述第一有机溶剂。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过目标处理方式对溶剂去除后的所述目标晶圆进行干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆，包括：将溶剂去除后的所述目标晶圆立于纸面，以进行初步干燥处理；响应于初步干燥处理结束，通过所述目标处理方式对所述目标晶圆进行进一步干燥处理，获得去胶后的所述目标晶圆。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离心甩干是指以指定转速对所述目标晶圆离心旋转第四指定时长。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述指定转速为3000转/分钟。10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第四指定时长为35秒。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一有机溶剂为RemoverPG溶剂，所2CN113721430A权利要求书2/2页述第一温度为80℃，所述第一指定时长为96小时。12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一有机溶剂为N‑甲基吡咯烷酮溶剂，所述第一温度为85℃，所述第一指定时长为4小时。13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属架空层空桥结构。14.一种光刻胶去除系统，其特征在于，所述系统包括：晶圆获取装置，用于获取目标晶圆，所述目标晶圆表面具有光刻胶，且所述光刻胶的胶层表面上镀有金属架空层，所述金属架空层具有三维镂空结构；水浴浸泡装置，用于将所述目标晶圆置于温度为第一温