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层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法.pdf
2023-11-25
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永梅****33
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一个实施例是用于制造层叠的氧化物材料的方法，包括步骤：在基底组件上形成氧化物组分；通过热处理形成从氧化物组分表面向内生长的第一氧化物结晶组分，并在基底组件表面正上方留有非晶组分；以及在该第一氧化物结晶组分上层叠第二氧化物结晶组分。特定地，第一氧化物结晶组分和第二氧化物结晶组分具有共同的c-轴。在共晶生长或异晶生长的情况下导致同轴（轴向）生长。
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本发明涉及制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底，所述方法包括：在衬底的用作划线的区域上形成绝缘膜；在绝缘膜上保留有空腔的状态下形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第二半导体层；以及通过在衬底的与形成有第一半导体层的表面相对的表面上、在与用作划线的区域相对应的位置处按压该衬底，将该衬底、该第一半导体层以及该第二半导体层分成多片。
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