半导体器件及用于制造半导体器件的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115881787A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211183593.0H01L29/06(2006.01)(22)申请日2022.09.27H01L29/40(2006.01)(30)优先权数据2021-1598342021.09.29JP(71)申请人株式会社电装地址日本爱知县申请人丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社(72)发明人登尾正人加藤良隆远藤刚(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002专利代理师王琼先(51)Int.Cl.H01L29/41(2006.01)H01L23/488(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图12页(54)发明名称半导体器件及用于制造半导体器件的方法(57)摘要一种半导体器件包括：具有半导体元件和表面电极的有源区，表面电极由布线电极材料提供，并且在与所述半导体芯片的表面相邻的一侧上连接到所述半导体元件；和焊盘设置区，其具有由布线电极材料提供的焊盘。焊盘设置区在垂直于半导体芯片表面的方向上与有源区重叠。在焊盘设置区与有源区重叠的部分，焊盘通过隔离绝缘膜布置在表面电极上，使布线电极材料为两层，以提供双层布线电极结构。在有源区不与焊盘设置区重叠的部分，表面电极具有由单层布线电极材料组成的单层布线电极结构。CN115881787ACN115881787A权利要求书1/2页1.一种由半导体芯片提供的半导体器件，所述半导体器件包括：具有半导体元件和表面电极的有源区，所述表面电极由布线电极材料提供并且在与所述半导体芯片的表面相邻的一侧上连接到所述半导体元件；和焊盘设置区，其具有由所述布线电极材料提供的焊盘，其中所述焊盘设置区布置成在垂直于所述半导体芯片的所述表面的方向上与所述有源区重叠，在所述焊盘设置区与所述有源区重叠的部分中，所述焊盘通过隔离绝缘膜布置在所述表面电极上，使得所述布线电极材料为两层，以提供双层布线电极结构，以及在所述有源区的不与所述焊盘设置区重叠的部分中，所述表面电极具有由单层布线电极材料组成的单层布线电极结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述焊盘连接到由所述布线电极材料提供并连接到所述半导体元件的布线层，以及所述布线层具有由所述单层布线电极材料组成的所述单层布线电极结构。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中具有所述双层布线电极结构的所述部分的面积是所述有源区的面积的30％或更小。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述表面电极和所述焊盘中的每一个关于一直线线对称，所述直线是所述半导体芯片的穿过所述表面电极的中心的中心线。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述焊盘的数量为五个或更少。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述隔离绝缘膜为氧化硅膜。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述隔离绝缘膜为氮化硅膜。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述布线电极材料由AlSi制成。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件，其中所述半导体芯片包括由碳化硅制成的半导体衬底，以及所述半导体元件设置在所述半导体衬底中。10.一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有半导体芯片，所述半导体芯片包括半导体衬底和形成在所述半导体衬底上的半导体元件，所述方法包括：在形成所述半导体元件的有源区内形成表面电极，所述表面电极连接到所述半导体元件，其中所述表面电极的所述形成包括(i)在所述半导体衬底上形成所述半导体元件；(ii)在所述半导体元件的所述形成之后，形成与所述半导体衬底的表面相邻的层间绝缘膜；(iii)在所述层间绝缘膜中形成接触孔；(iv)通过第一层布线电极材料在包括所述接触孔的内部在内的所述层间绝缘膜上方形成下层布线电极：和(V)图案化所述下层布线电极，从而由所述下层布线电极形成所述表面电极；在所述表面电极上形成隔离绝缘膜；在与所述有源区重叠的焊盘设置区内形成焊盘，其中，所述焊盘的所述形成包括：(vi)通过第二层布线电极材料在所述隔离绝缘膜上形成上层布线电极；和(vii)图案化所述上层布线电极，由此在所述焊盘设置区中形成所述焊盘，其中所述焊盘的所述形成还包括：(viii)在所述有源区的不与所述焊盘设置区重叠的部分中去除形成在所述表面电极上的所述上层布线电极，使得所述表面电极具有由所述下层布2CN115881787A权利要求书2/2页线电极组成的单层布线电极结构；(ix)在所述有源区的与所述焊盘设置区重叠的部分中留下形成在所述表面电极上的所述上层布线电极，使得所述焊盘布置在所述表面电极上，由此形成由所述下层布线电极和所述上层布线电极组成的双层布线电极结构。3CN115881787A说明书1/12页半导体器件及用于制造半导体器件的方法技术领域[0001]