用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113471144A(43)申请公布日2021.10.01(21)申请号202110332137.7(22)申请日2021.03.29(30)优先权数据2020-0629062020.03.31JP(71)申请人住友电工光电子器件创新株式会社地址日本神奈川县(72)发明人羽中田忠浩(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219代理人王伟高伟(51)Int.Cl.H01L21/78(2006.01)H01L29/06(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图12页(54)发明名称用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底(57)摘要本发明涉及制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底，所述方法包括：在衬底的用作划线的区域上形成绝缘膜；在绝缘膜上保留有空腔的状态下形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第二半导体层；以及通过在衬底的与形成有第一半导体层的表面相对的表面上、在与用作划线的区域相对应的位置处按压该衬底，将该衬底、该第一半导体层以及该第二半导体层分成多片。CN113471144ACN113471144A权利要求书1/1页1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底的用作划线的区域上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上保留有空腔的状态下形成第一半导体层；在所述第一半导体层上形成第二半导体层；以及通过在所述衬底的与其上形成有所述第一半导体层的表面相反的表面上、在与用作所述划线的所述区域相对应的位置处按压所述衬底，从而将所述衬底、所述第一半导体层以及所述第二半导体层分成多片。2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括：在形成所述第一半导体层之前，使用所述绝缘膜作为掩膜来蚀刻所述衬底，以形成台面。3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括：通过施加膦和三甲基铟的生长气体来形成所述第一半导体层，并且通过施加三甲基铟和氯甲烷的生长气体来形成所述嵌入层。4.一种半导体器件，包括：半导体层，所述半导体层设置在衬底上；以及电极，所述电极设置在所述半导体层上；其中，所述半导体层具有凹部，所述凹部沿着用作划线的区域嵌入。5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述凹部内。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是发光元件或光接收元件。7.一种半导体衬底，包括：半导体层，所述半导体层具有空腔，所述空腔沿着用作所述划线的所述区域嵌入。8.根据权利要求7所述的半导体衬底，还包括：绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述空腔内。2CN113471144A说明书1/8页用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底技术领域[0001]本发明涉及用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底。背景技术[0002]在衬底(晶片)上形成半导体层和其它部件之后，将晶片进行分割，以制造诸如发光元件和光接收元件之类的半导体器件。例如，已知一种利用划片机的刀片分割晶片的技术(例如，日本特开专利公开号2008‑270627)。发明内容[0003]根据本发明的用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底的用作划线的区域上形成绝缘膜；在绝缘膜上保留有空腔的状态下形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第二半导体层；以及通过在衬底的与其上形成有第一半导体层的表面相反的表面上、在与用作划线的区域相对应的位置处按压衬底，从而将衬底、第一半导体层以及第二半导体层分成多片。[0004]根据本发明的半导体衬底包括半导体层，该半导体层具有沿着用作划线的区域嵌入的空腔。附图说明[0005]图1A是示出了根据第一实施例的半导体器件的剖视图。[0006]图1B是示出了半导体器件的平面图。[0007]图2是示出了用于制造该半导体器件的方法的平面图。[0008]图3A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0009]图3B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0010]图4A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0011]图4B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0012]图5A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0013]图5B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0014]图6A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0015]图6B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0016]图7A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0017]图7B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0018]图8A是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0019]图8B是示出了用于制造半导体器件的方法的剖视图。[0020]图9是示出了根据第二实施例的半导体器件的剖视图。[0021]图10A是示