一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液及其制备工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107164762A(43)申请公布日2017.09.15(21)申请号201710354626.6(22)申请日2017.05.19(71)申请人合肥市惠科精密模具有限公司地址230000安徽省合肥市新站区九顶山路以东奎河路以北合肥惠科金扬科技有限公司内(72)发明人白航空(51)Int.Cl.C23F1/16(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液及其制备工艺(57)摘要本发明公开了一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液，其是由如下重量百分比的原料组成：硝酸23-25％、盐酸11-13％、醋酸7-9％、无机盐氯化物1.2-1.8％、氟化铵8.5-9.4％、表面活性剂11.2-14.5％、添加剂5-8％和去离子水。与现有技术相比，本发明在蚀刻液中加入氟化铵和合适的添加剂，不引入任何金属离子和阴离子，蚀刻后的氧化层表面无残留，且能赋予蚀刻液较低的表面张力，增大蚀刻液渗透性；表面活性剂具有高表面活性疏水疏油的性质，与等量的其他表面活性剂相比，能极大的降低溶液的表面张力，因此其用量少，生产成本较低。CN107164762ACN107164762A权利要求书1/1页1.一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液，其特征在于，其是由如下重量百分比的原料组成：硝酸23-25％、盐酸11-13％、醋酸7-9％、无机盐氯化物1.2-1.8％、氟化铵8.5-9.4％、表面活性剂11.2-14.5％、添加剂5-8％和去离子水。2.根据权利要求1所述的一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液，其特征在于：所述表面活性剂为N-烷基葡糖酰胺、聚异丁烯/马来酸酐衍生物、N-芳氧基多羟基-脂肪酸酰胺中的一种或几种混合物。3.根据权利要求1所述的所述一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液，其特征在于：所述无机盐氯化物为氯化钾，所述氯化钾的纯度高于95％。4.根据权利要求1所述的一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液，其特征在于：所述添加剂为聚乙二醇单全氟壬烯基醚、全氟己基磺酸聚甘油酯、辛胺、聚甘油全氟壬烯基醚、聚乙二醇全氟壬烯基甲基醚、全氟己基磺酸聚乙二醇酯中的一种或几种。5.根据权利要求1所述的一种AMOLED用低表面张力酸性铜蚀刻液，其特征在于：所述去离子水在25℃的电阻率至少为22兆欧。6.一种如权利要求1所述的AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)将强酸性离子交换树脂分别加入到硝酸、盐酸和醋酸中，搅拌混合，然后滤出强酸性离子交换树脂，去除硝酸、盐酸和醋酸中的杂质离子；(2)将1/2去离子水加入配料罐中，搅拌下加入上述步骤得到的硝酸、盐酸和醋酸，混合搅拌均匀后，搅拌下加入无机盐氯化物和氟化铵混合均匀；(3)往混匀的混合溶液中加入表面活性剂和添加剂，然后加入剩余的去离子水，搅拌混合均匀；(4)将上述得到的混合物通入过滤器进行过滤，得到所述蚀刻液。7.根据权利要求6所述的一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液的制备工艺，其特征在于：所述强酸性离子交换树脂与硝酸、盐酸和醋酸混合搅拌是在常温、常压的状态下进行，搅拌的速度为60-85r/min，搅拌的时间为10min。8.根据权利要求6所述的一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液的制备工艺，其特征在于：所述搅拌为机械搅拌或者磁力搅拌。9.根据权利要求6所述的一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液的制备工艺，其特征在于：所述过滤的次数大于两次，所述过滤器的微滤膜孔径为0.05-0.10μm。2CN107164762A说明书1/4页一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液及其制备工艺技术领域[0001]本发明涉及蚀刻液技术领域，具体涉及一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液及其制备工艺。背景技术[0002]AMOLED基板上设置有大量的薄膜、薄层，所以为了防止这些之间发生不希望的电短路，优选将蚀刻后的基板的切断侧面即蚀刻轮廓均等地倾斜，且下方比上方宽，为钝锥形状。这是由于蚀刻轮廓为钝锥形状的情况下，所形成的2个以上的薄膜层之间的高度差会减少。蚀刻方法具有利用气体的干式蚀刻和利用蚀刻液的湿式蚀刻，尽管湿式蚀刻具有缺点，但是其工序所需的设备投资费用低，无需将蚀刻环境维持在高真空状态，对掩模和基板均有优异的蚀刻选择性。现有蚀刻液组分复杂，相对主要成分硝酸和氟化铵来说，表面活性剂活性用量较大，生产成本较高；另外，蚀刻液中硝酸和氟化铵浓度较高时，一般非离子表面活性剂难以溶解，无法对蚀刻液的表面张力进行调节，渗透性相对较弱，难以蚀刻入很微小的孔径。发明内容[0003]本发明旨在提供了一种AMOLED用低表面张力酸性蚀刻液及其制备工艺。[0004]本发明提供如下技