一种压焊块制作方法及压焊块.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103050418A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN103050418A(43)申请公布日2013.04.17(21)申请号201110310298.2(22)申请日2011.10.13(71)申请人北大方正集团有限公司地址100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层申请人深圳方正微电子有限公司(72)发明人潘光燃(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人李娟(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)H01L23/498(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书33页页附图附图55页(54)发明名称一种压焊块制作方法及压焊块(57)摘要本发明公开了一种压焊块制作方法及压焊块，涉及半导体工艺技术，本发明实施例提供的压焊块制作方法中，在刻蚀掉芯片的压焊块区域的钝化层后，在芯片上淀积金属层，并通过粘性薄膜去除压焊块区域外的金属层，保留压焊块区域的金属层，从而增加了压焊块金属的厚度。CN103548ACN103050418A权利要求书1/1页1.一种压焊块制作方法，其特征在于，包括：在刻蚀掉芯片的压焊块区域的钝化层(4)后，在所述芯片上淀积金属层(5)，所述在压焊块区域淀积的金属层(5)的厚度小于所述压焊块区域外的钝化层(4)与钝化层(4)上的光刻胶的厚度之和；去除所述压焊块区域外的金属层(5)；去除所述钝化层(4)上的光刻胶。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层(4)上的光刻胶具体为：压焊块区域外的钝化层(4)上用于刻蚀钝化层(4)的光刻胶；或者去除所述压焊块区域外的钝化层(4)上用于刻蚀钝化层(4)的光刻胶后，重新在所述压焊块区域外的钝化层(4)上设置的光刻胶。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述芯片上淀积金属层(5)前，还包括：烘焙所述芯片。4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述钝化层(4)上的光刻胶为倒梯形。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述芯片上淀积金属层(5)，具体为：通过低于120摄氏度的低温蒸发的方式在所述芯片上淀积金属层(5)。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述压焊块区域外的金属层(5)，具体为：通过粘性薄膜去除所述压焊块区域外的金属层(5)。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述粘性薄膜具体为蓝膜。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在压焊块区域淀积的金属层(5)的厚度小于所述压焊块区域外的钝化层(4)与钝化层(4)上的光刻胶的厚度之和的三分之一。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层(5)具体为：与所述顶层金属(2)相同的金属。10.一种通过如权利要求1-9任一的方法制作的压焊块，其特征在于，在压焊块区域的顶层金属上，设置有金属层。2CN103050418A说明书1/3页一种压焊块制作方法及压焊块技术领域[0001]本发明涉及半导体工艺技术，尤其涉及一种压焊块制作方法及压焊块。背景技术[0002]键合是半导体芯片封装工艺流程中比较重要的步骤之一，键合过程是采用引线将芯片的压焊块和封装体上的电极引脚进行电连接；在键合过程中，将引线定位在芯片的压焊块位置并施加一定压力，使得引线和压焊块形成键合结构；键合过程中施加的压力越大，芯片的压焊块承受的压力也就越大，当键合过程中施加的压力大于压焊块所能承受的压力时，会导致压焊块被压坏。[0003]键合用的引线或是金线或是铝线或是铜线，其中铜线由于低电阻率、高热导率、价格低等优势，正在逐渐取代金线和铝线。但是，铜线的硬度比较高，而且铜线容易被氧化，因此铜线在键合时需要更大的压力，所以使用铜线时，对压焊块的承压能力的要求则高于使用金线和铝线时对压焊块承压能力的要求。[0004]压焊块的表面结构是金属，压焊块的金属厚度越大，其所能承受的键合压力也就越大，所以增大压焊块的金属厚度，是防止压焊块在键合过程中被压坏的有效方法，尤其是满足铜线键合要求的有效方法。[0005]目前，可以采取增加芯片制造工艺中顶层金属厚度的方法，达到增加压焊块金属厚度的目的；但是，在实际操作中，顶层金属需要经过金属淀积、光刻、金属刻蚀等一系列具体的工艺步骤，如果增加顶层金属厚度，会导致其金属淀积、光刻、金属刻蚀的工艺难度增加甚至很难实现稳定的批量生产。[0006]下面对现有技术中制作压焊块的方法进行详细说明：[0007]如图1所示，目前，制作压焊块的方法包括：[0008]步骤S101、在芯片1上淀积顶层金属2，如图2a所示，若需要压焊块金属厚度较厚，则需要淀积较厚的顶层金属2，但是会增加光刻和金属刻蚀的难度；[0009]步骤S102、在顶层金属2上设置光刻胶3，并通过光刻去除压焊块区域外的光刻胶3，保留压