用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺.pdf
又珊****ck
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相关资料
用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺.pdf
本发明公开了用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺,旨在解决铜丝键合,芯片焊块的制造方法存在明显缺点,1um的铝层厚度太薄,铜丝焊接容易把铝层打穿,造成弹坑,导致产品的电性能及可靠性问题失效的问题。其技术方案要点是:用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺,工艺的具体制备流程如下所述:步骤一~九。本发明的用于铜丝键合的金属压焊块厚铝工艺,用于铜丝键合,以克服薄铝焊块在铜丝焊接时出现的弹坑问题,同时可以适用于不具备AL湿法腐蚀设备的工艺线及小尺寸集成电路的加工。
一种镀钯键合铜丝及其制备工艺.pdf
本发明属于键合铜丝的技术领域,具体涉及一种镀钯键合铜丝及其制备工艺,采用铜、铂、钴、锆、镁、锶、稀土金属元素和硅混合,形成铜基键合丝材料,所采用的金属铂、钴和锆以及结合硅的作用有助于提高铜丝的内部晶粒分布结构,提高铜丝的抗拉力等力学性能、成球度以及抗氧化性能;所采用的镁、锶以及稀土金属元素有助于提高键合铜丝的键合性能,采用一次、二次的镀钯工艺,使得键合铜丝具有优良的拉伸性能、键合性能以及抗氧化性能。
一种压焊块制作方法及压焊块.pdf
本发明公开了一种压焊块制作方法及压焊块,涉及半导体工艺技术,本发明实施例提供的压焊块制作方法中,在刻蚀掉芯片的压焊块区域的钝化层后,在芯片上淀积金属层,并通过粘性薄膜去除压焊块区域外的金属层,保留压焊块区域的金属层,从而增加了压焊块金属的厚度。
用于恶劣介质应用的键合焊盘保护.pdf
本发明涉及用于制造半导体器件的方法并且涉及用于在恶劣介质中使用的相关半导体器件(1,2,3,4,5,6)。所述半导体器件包括:硅管芯(420),所述硅管芯包括金属接触区(422);以及至少一个钝化层(421),所述至少一个钝化层覆盖所述半导体管芯(420)并且被图案化从而形成通向所述半导体管芯(420)的所述金属接触区(422)的开口。所述器件还包括接触层(428,128,528)的连续部分(301),所述接触层包括耐火金属。这个连续部分(301)与所述至少一个钝化层(421)中的所述开口重叠并完全覆盖所
铜丝引线键合技术的发展.docx
编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径学海无涯苦作舟页码:铜丝引线键合技术的发展摘要铜丝引线键合有望取代金丝引线键合在集成电路封装中获得大规模应用。论文从键合工艺﹑接头强度评估﹑键合机理以及最新的研究手段等方面简述了近年来铜丝引线键合技术的发展情况讨论了现有研究的成果和不足指出了未来铜丝引线键合技术的研究发展方向对铜丝在集成电路封装中的大规模应用以及半导体集成电路工业在国内高水平和快速发展具有重要的意义。关键词集成电路封装铜丝引线键合工艺1.铜丝