成膜装置及其运用方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103088313A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103088313103088313A(43)申请公布日2013.05.08(21)申请号201210419154.5(22)申请日2012.10.26(30)优先权数据2011-2361972011.10.27JP(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人远藤笃史水永觉大塚武裕(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇张会华(51)Int.Cl.C23C16/26(2006.01)C23C16/34(2006.01)C23C16/44(2006.01)H01L21/31(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书8页说明书8页附图4页附图4页(54)发明名称成膜装置及其运用方法(57)摘要本发明提供成膜装置及其运用方法。在成膜装置的运用方法中，在处理容器内进行在保持于保持部件的被处理体的表面形成碳膜的成膜工序，并且为了除去无用的碳膜而利用清洁气体进行清洁工序，其中，在成膜工序之前，在接触于处理容器内的处理空间的构件的表面形成提高碳膜的密合性且相对于清洁气体具有耐受性的耐受性预涂膜。由此，提高了碳膜的密合性，而且即使进行除去无用的碳膜的清洁处理，也会残留耐受性预涂膜。CN103088313ACN1038ACN103088313A权利要求书1/1页1.一种成膜装置的运用方法，在该成膜装置的运用方法中，在处理容器内进行在保持于保持部件的多个被处理体的表面形成碳膜的成膜工序，并且为了除去已附着在上述处理容器内的无用的碳膜而利用清洁气体进行清洁工序，其特征在于，在上述成膜工序之前，进行在接触于上述处理容器内的处理空间的构件的表面形成提高碳膜的密合性且相对于上述清洁气体具有耐受性的耐受性预涂膜的耐受性预涂膜形成工序。2.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于，上述耐受性预涂膜由氮化硅膜或者硅膜构成。3.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于，上述耐受性预涂膜的厚度处于10nm～300nm的范围内。4.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于，在将未保持上述被处理体的空状态的上述保持部件收容到上述处理容器内的状态下进行上述耐受性预涂膜形成工序。5.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于，在上述耐受性预涂膜形成工序与上述成膜工序之间，通过在将未保持上述被处理体的空状态的上述保持部件收容到上述处理容器内的状态下向上述处理容器内通入上述碳膜的原料气体，从而在上述耐受性预涂膜上形成预涂膜。6.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于，在将上述成膜工序进行了1次或者多次之后，进行上述清洁工序。7.一种成膜装置，其用于在多个被处理体的表面形成碳膜，并且为了除去已附着的无用的碳膜而进行清洁处理，其特征在于，该成膜装置包括：立式的处理容器，其能够排气；加热部件，其用于加热上述被处理体；保持部件，其用于保持上述多个被处理体而将上述多个被处理体装载到上述处理容器内及自上述处理容器内卸载；气体导入部件，其用于向上述处理容器内导入气体；控制部件，其用于控制整个装置，从而实施权利要求1所述的成膜装置的运用方法。2CN103088313A说明书1/8页成膜装置及其运用方法技术领域[0001]本发明涉及在半导体晶圆等被处理体上形成碳膜的成膜装置及其运用方法。背景技术[0002]为了形成IC等半导体集成电路，通常对由硅基板等构成的半导体晶圆反复进行成膜处理、蚀刻处理、氧化扩散处理、退火处理等各种处理。而且，以上述蚀刻处理为例，为了实施微细加工，以往采用各种材料的薄膜作为蚀刻掩模，但最近存在采用碳膜作为蚀刻掩模、即牺牲膜的情况（例如专利文献1、2）。其原因在于，碳膜与其他蚀刻掩模材料相比，例如在成膜时能够在晶圆表面的图案凹部的侧壁也更加良好地堆积薄膜来提高阶梯覆盖率（stepcoverage）。[0003]在这种情况下，上述碳膜例如多晶化，由于其阶梯覆盖率如上所述地良好，因此，在线宽等变得更小、推进微细化而设计规则变得严格的现状下，上述碳膜的可用性提升。[0004]专利文献1：日本特表2007－523034号公报[0005]专利文献2：日本特开2011－181903号公报[0006]但是，为了在半导体晶圆上形成上述碳膜，使作为原料气体的例如乙烯流入到处于减压气氛的石英制的处理容器内。在这种情况下，为了微粒对策、维持成膜处理的再现性，在进行上述成膜处理之前形成不将晶圆收容在处理容器内的状态，并向处理容器内流入原料气体，在处理容器的内表面、保持处理容器内的石英制部件例如半导体晶圆的晶圆舟皿等的表面，形成作为预涂膜的非晶形状态的碳