一种背接触太阳电池及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103367550A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103367550103367550A(43)申请公布日2013.10.23(21)申请号201310313352.8(22)申请日2013.07.24(71)申请人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司地址215129江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号(72)发明人吴坚王栩生章灵军(74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司32103代理人陶海锋陆金星(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/0224(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书4页说明书4页附图4页附图4页(54)发明名称一种背接触太阳电池及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种背接触太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在半导体基板的表面进行制绒、扩散；然后对基板的边缘和背光面进行刻蚀；(2)制备减反射膜；(3)在半导体基板的背光面设置背光面掺杂物质；在设置背光面掺杂物质时，在基板背光面预留出需要避开开孔的区域；该预留区域覆盖开孔的区域，且其面积与开孔的面积接近；(4)在半导体基板的背光面设置绝缘材料层；(5)打孔；(6)制作贯穿孔电极，制备受光面电极和背光面电极。本发明开发的背接触太阳电池，既满足了背面掺杂面积最大化的要求，又不会限制贯穿孔电极的大小，有效降低了电池的串联电阻，提升光生载流子的收集几率，提高电池的光电转换效率。CN103367550ACN103675ACN103367550A权利要求书1/1页1.一种背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在半导体基板的表面进行制绒、扩散；然后对基板的边缘和背光面进行刻蚀；(2)在半导体基板的受光面制备减反射膜；(3)在半导体基板的背光面设置背光面掺杂物质，其导电类型与半导体基板的导电类型相同；在设置背光面掺杂物质时，在基板背光面预留出需要避开开孔的区域；该预留区域覆盖开孔的区域，且其面积与开孔的面积接近；(4)在半导体基板的背光面设置绝缘材料层；该绝缘材料层至少覆盖所述步骤(3)中的预留区域，且其面积大于预留区域的面积；(5)打孔；(6)制作贯穿孔电极，贯穿孔电极贯穿所述半导体基板并延伸至绝缘材料层之外，且位于背光面一侧的贯穿孔电极仅与所述绝缘材料层接触；制备受光面电极和背光面电极，即可得到背接触太阳电池。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)和(4)之间，在背光面的背光面掺杂物质上设置钝化介质膜。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，所述绝缘材料层覆盖除了设置背光面电极区域之外的整个背光面。4.由权利要求1所述的制备方法得到的背接触太阳电池。5.一种背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在半导体基板上进行打孔、制绒；(2)扩散，在半导体基板的受光面和孔洞形成PN结；然后对基板的边缘和背光面进行刻蚀；(3)在半导体基板的受光面制备减反射膜；(4)在半导体基板的背光面设置背光面掺杂物质，其导电类型与半导体基板的导电类型相同；在设置背光面掺杂物质时，在基板背光面预留出避开开孔及其内掺杂所形成的区域；该预留区域覆盖开孔及其内掺杂所形成的区域，且其面积与开孔及其内掺杂所形成的区域的面积接近；(5)在半导体基板的背光面设置绝缘材料层；该绝缘材料层至少覆盖所述步骤(4)中的预留区域，且其面积大于预留区域的面积；(6)制作贯穿孔电极，贯穿孔电极贯穿所述半导体基板并延伸至绝缘材料层之外，且位于背光面一侧的贯穿孔电极仅与所述绝缘材料层接触；制备受光面电极和背光面电极，即可得到背接触太阳电池。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)和(5)之间，在背光面的背光面掺杂物质上设置钝化介质膜。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中，所述绝缘材料层覆盖除了设置背光面电极区域之外的整个背光面。8.由权利要求5所述的制备方法得到的背接触太阳电池。2CN103367550A说明书1/4页一种背接触太阳电池及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种背接触太阳电池及其制备方法，属于太阳能技术领域。背景技术[0002]常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳电池或光伏电池，可将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。目前，太阳电池最普遍的结构是将光电池的正负极分别置于受光面和背光面，并且通过低电阻的金属实现正负互联，但是由于该电池受光面很多区域的面积被电极遮挡而损失了一部分电流。[0003]随着太阳能发电技术的发展，为改善太阳的光电转化