一种具有电极反射层的 LED 芯片及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103390711A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103390711103390711A(43)申请公布日2013.11.13(21)申请号201310304382.2(22)申请日2013.07.18(71)申请人江苏中谷光电股份有限公司地址226000江苏省南通市南通经济技术开发区苏通科技产业园纬14路12号(72)发明人武乐可胡国兵邱国安曹小明叶关兴(74)专利代理机构北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)11400代理人高之波邬玥(51)Int.Cl.H01L33/40(2010.01)H01L33/00(2010.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图1页附图1页(54)发明名称一种具有电极反射层的LED芯片及其制作方法(57)摘要本发明提供一种具有电极反射层的LED芯片制作方法，包括以下步骤，S1，在衬底上依次生长N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；S2，采用刻蚀工艺使部分N型GaN层裸露；S3，于P型GaN层以及裸露的N型GaN层上分别蒸镀导电层，并预留有电极区域；S4，于预留的电极区域蒸镀电极反射层；S5，在电极反射层和导电层上蒸镀金属电极，电极与导电层接触。本发明在电极蒸镀之前制作电极反射层，将电极下方的光子在被金属电极吸收之前反射回去，从而增加光子的出射效率，此外本发明还提供了上述方法制取的具有电极反射层的LED芯片。CN103390711ACN10397ACN103390711A权利要求书1/1页1.一种具有电极反射层的LED芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤，S1，在衬底（1）上依次生长N型GaN层（2）、量子阱层（3）和P型GaN层（4）；S2，采用刻蚀工艺使部分N型GaN层（2）裸露；S3，于所述P型GaN层（4）以及裸露的N型GaN层（2）上分别蒸镀导电层（5），并预留有电极区域；S4，于预留的电极区域蒸镀电极反射层（6）；S5，在所述电极反射层（6）和所述导电层（5）上蒸镀金属电极（7），所述电极（7）与所述导电层（5）接触。2.根据权利要求1所述的一种具有电极反射层的LED芯片制作方法，其特征在于，所述电极反射层（6）为DBR反射层。3.根据权利要求2所述的一种具有电极反射层的LED芯片制作方法，其特征在于，所述DBR反射层由SiO2和TiO2两种薄膜材料周期性堆叠而成。4.根据权利要求1所述的一种具有电极反射层的LED芯片制作方法，其特征在于，所述电极反射层（6）为银反射层或铝反射层，所述银反射层或铝反射层的厚度为150～250nm。5.根据权利要求1所述的一种具有电极反射层的LED芯片制作方法，其特征在于，所述导电层（5）设置于所述电极反射层（6）的周向。6.一种具有电极反射层的LED芯片，其特征在于，从下至上依次包括衬底（1）、N型GaN层（2）、量子阱层（3）和P型GaN层（4），所述N型GaN层（2）和所述P型GaN层（4）上均设有导电层（5）和电极反射层（6），所述电极反射层（6）上设有电极（7），所述电极（7）与所述导电层（5）接触。7.根据权利要求6所述的一种具有电极反射层的LED芯片，其特征在于，所述电极反射层（6）为DBR反射层。8.根据权利要求7所述的一种具有电极反射层的LED芯片，其特征在于，所述DBR反射层由SiO2和TiO2两种薄膜材料周期性堆叠而成。9.根据权利要求6所述的一种具有电极反射层的LED芯片，其特征在于，所述电极反射层（6）为银反射层或铝反射层，所述银反射层或铝反射层的厚度为150～250nm。10.根据权利要求6所述的一种具有电极反射层的LED芯片，其特征在于，所述导电层（5）设置于所述电极反射层（6）的周向。2CN103390711A说明书1/3页一种具有电极反射层的LED芯片及其制作方法技术领域[0001]本发明涉及照明灯具领域，尤其涉及一种发光二极管的生产方法。背景技术[0002]分布式布拉格反射镜(DBR)是在垂直腔面发射激光器（VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，VCSEL）常使用的一种反射镜，主要是由两种不同折射率的材料交替排列组成的周期结构，每层材料的光学厚度为中心反射波长的1/4。因此是一种四分之一波长多层膜系，相当于简单的一维光子晶体。近年来，DBR结构越来越多的应用于LED芯片上，主要是镀在芯片的背面，以增加背面的反射率，从而提升LED芯片的亮度。[0003]对于LED芯片，近年来有越来越多的亮度提升技术涌现出来，LED照明普及应用的前景越来越清晰。LED芯片结构中，正面两个金属电极的存在影响了光子出射效率，电极下方的光子在向外发射时会被电极吸收，引起芯片亮度下降。发明内容[0004]本发明