一种双层电极LED芯片及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106410007A(43)申请公布日2017.02.15(21)申请号201610839234.4(22)申请日2016.09.22(71)申请人佛山市国星半导体技术有限公司地址528200广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号(72)发明人徐亮何键云(51)Int.Cl.H01L33/38(2010.01)H01L33/40(2010.01)H01L33/44(2010.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种双层电极LED芯片及其制作方法(57)摘要本发明提供一种双层电极LED芯片及其制作方法，通过两层电极结构的设计，在第一层电极外形成高电极电位第二层电极，且第二层电极把第一层电极全覆盖，有效防止第一层电极在通电以及弱电解条件下发生水解，提高芯片的可靠性。此外，在第二层电极外形成钝化层，进一步防止环境中的水蒸气或者封装胶中残留的水蒸气进入芯片内部，有效地保护芯片的金属电极，防止在第一层电极或第二层电极在通电以及弱电解条件下发生水解，提高芯片的可靠性。CN106410007ACN106410007A权利要求书1/1页1.一种双层电极LED芯片的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底任意一表面形成发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的透明电极导电层，位于所述透明电极导电层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘，所述第一电极和第二电极统称为第一层电极；在所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧形成第二层电极，所述第二层电极将第一层电极完全包覆，其中所述第二层电极的电极电位高于所述第一层电极的电极电位；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第二层电极、且延伸覆盖至所述透明电极导电层和第一半导体层。2.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述透明电极导电层是采用磁控溅射或电子束蒸工艺在所述第二半导体层背离所述衬底一侧形成透明电极导电层。3.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一电极或第二电极是采用电子束蒸镀、磁控溅射、电镀或化学镀工艺在所述在第一半导体层的预设区域、且背离衬底一侧形成第一电极，且在导电反射膜层背离衬底一侧形成第二电极。4.根据权利要求3所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一层电极采用Cr、Al、Ti、Ni、Mg、Sn、Co等一种或者几种金属形成。5.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二层电极采用Pt、Pd、Au等一种或者几种金属形成。6.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述钝化层是采用等离子体增强化学气相工艺在所述第二层电极背离所述透明电极导电层一侧沉积形成。7.根据权利要求1所述的双层电极LED芯片的制作方法，其特征在于，所述钝化层对应所述第二层电极的预设区域设置有第一开口和第二开口，以用于连接第一电极和第二电极。8.一种双层电极LED芯片，其特征在于，所述双层电极LED芯片采用权利要求1~7任意一项所述的制作方法制作而成。2CN106410007A说明书1/5页一种双层电极LED芯片及其制作方法技术领域[0001]本发明涉及半导体照明制造领域，尤其涉及一种LED芯片及其的制作方法。背景技术[0002]LED（LightEmittingDiode，发光二极管）是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。[0003]LED芯片在长期点亮的过程中，与环境中的水蒸气或者封装胶中残留的水蒸气反应，引起电极水解，从而使LED芯片电极脱落、电压升高等异常现象。水解的主要原因是金属电极与水蒸气之间形成电解池结构，从而导致阳电极失去电子而发生溶解。现有技术中，LED芯片电极常为Cr、Al等电极电位较低的金属，因此容易导致LED芯片在使用中发生电极水解。发明内容[0004]有鉴于此，本发明提供了一种双层电极LED芯片及其制作方法，以解决上述问题。[0005]为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：一种双层电极LED芯片的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底任意一表面形成发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的透明电极导电层，位于所述透明电极导