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一种LED芯片及其制作方法.pdf
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本申请公开了一种LED芯片及其制作方法,该LED芯片为倒装结构,包括依次排布的蓝宝石衬底、第一增透膜、第一半导体层和发光层,发光层包括第一型GaN层、多量子阱层和第二型GaN层,通过在第一半导体层和蓝宝石衬底之间增加第一增透膜,以减少向蓝宝石衬底的出光方向上的反射光,增加透射光,从而提高对倒装LED芯片出射光的萃取效率,提升倒装LED芯片的外量子效率;并且,设置第一增透膜为Mg<base:Sub>x</base:Sub>Zn<base:Sub>(1?x)</base:Sub>O层,使得Mg<base:Su
2023-05-16
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本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过所述第一电极作为LED芯片的一个控制接口，实现了呈水平结构的两接触电极(即第一电极和第二电极呈水平结构)或呈垂直结构的两接触电极(即基板和第二电极呈水平结构)。进一步地，本发明中，所述基板包括导电基板，其作为所述LED芯片的另一接触电极；该设计除了可以实现设计的灵活性，也可以通过测试所述第一电极、基板以及第二电极两两之间的伏安特性，以表征所述第一、第二型半导体的表面欧姆接触电阻率，从而为后续的芯片工艺设计提供数据参考，以获得高性能的LED产品。
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2023-11-20
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