一种LED芯片的反射层制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115327855A(43)申请公布日2022.11.11(21)申请号202211057274.5(22)申请日2022.08.31(71)申请人福建兆元光电有限公司地址350000福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区(72)发明人李慧敏钟伟华林武李景浩彭足超鲁日彬(74)专利代理机构福州市博深专利事务所(普通合伙)35214专利代理师董晗(51)Int.Cl.G03F7/16(2006.01)H01L33/46(2010.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种LED芯片的反射层制作方法(57)摘要本发明公开了一种LED芯片的反射层制作方法，在制作反射层时，先使用光刻胶进行匀胶、曝光和显影，其中，对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留负性光刻胶的溶剂含量，曝光显影的温度为116‑120℃；而现有技术中，通常曝光显影温度为122℃，相较于现有技术，本发明在烘烤时保留光刻胶的溶剂即降低匀胶烘烤温度，能够增加光刻胶的倒角角度，增大后续蒸镀反射层的面积；并且，降低曝光显影温度能够使光刻胶分子间的交联反应减少，交联反应会形成难溶于显影液的结构，此时曝光显影后的负性光刻胶减少、显影区域增加，从而增加后续反射层的蒸镀尺寸。因此，通过降低匀胶后及显影前烘烤温度，能够增大蒸镀后反射层的面积，提高LED发光亮度。CN115327855ACN115327855A权利要求书1/1页1.一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，包括步骤：在芯片的电流扩展层上涂敷负性光刻胶，对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留所述负性光刻胶的溶剂含量；对烘烤后的负性光刻胶，使用116‑120℃的温度进行曝光显影；在曝光显影后的显影区域上蒸镀反射层。2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，所述对负性光刻胶进行匀胶烘烤时保留所述负性光刻胶的溶剂含量包括：使用95‑105℃的温度对负性光刻胶进行匀胶烘烤。3.根据权利要求2所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，所述使用95‑105℃的温度对负性光刻胶进行匀胶烘烤包括：在负性光刻胶匀胶后使用95‑105℃的温度进行光刻胶的烘烤，并保留光刻胶中5％的溶剂。4.根据权利要求1所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，对烘烤后的负性光刻胶，使用116‑120℃的温度进行曝光显影还包括：设置曝光显影的时间为80‑85s。5.根据权利要求1所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，所述曝光显影后的负性光刻胶的斜面的水平投影长度为4.5‑5.5μm。6.根据权利要求1所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，所述在曝光显影后的显影区域上蒸镀反射层包括：在负性光刻胶的显影区域上溅射蒸镀反射层，并剥离所述负性光刻胶上方的反射层，所述反射层为银镜层。7.根据权利要求6所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，在负性光刻胶的显影区域上溅射蒸镀反射层包括：在温度为50℃的环境下，在负性光刻胶的显影区域上溅射蒸镀银镜层。8.根据权利要求6所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，所述银镜层的厚度为9.根据权利要求1所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，所述在曝光显影后的显影区域上蒸镀反射层之后包括：在所述反射层上覆盖二氧化硅保护层。10.根据权利要求9所述的一种LED芯片的反射层制作方法，其特征在于，所述二氧化硅保护层的厚度为2CN115327855A说明书1/4页一种LED芯片的反射层制作方法技术领域[0001]本发明涉及半导体电子技术领域，特别涉及一种LED芯片的反射层制作方法。背景技术[0002]LED(LightEmittingDiode，发光二极管)，是由数层很薄的掺杂半导体材料制成。其中，Ag层(又称RFL层)作为氮化镓基发光二极管的重要组成部分，在倒装银镜产品中发挥的作用至关重要。在LED倒装芯片制造工艺中，需要对LED芯片蒸镀反射层进行光源反射，反射层一般分为DBR(分布式布拉格反射)和银镜反射。银镜作为反射层材料具有可过驱使用、反射光、作为导体使用等多种用处。在LED芯片的电极上蒸镀银，不仅可以增加反射，更因为银本身导电性能良好，可更好的对电流进行导通。[0003]目前LED倒装银镜芯片中结构设计为Ag膜层附着于ITO膜层(发光层)、Finger电极膜层上，但目前存在Ag膜层面积较小导致反射光源不足的问题。发明内容[0004]本发明所要解决的技术问题是：提供一种LED芯片的反射层制作方法，能够增大反射层的膜层面积，从而提高LED发光亮度。[0005]为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：[0006]一种LED芯片的反射层制作方法，包括步骤：[0007]在