改善晶圆剥落缺陷的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103646867103646867A(43)申请公布日2014.03.19(21)申请号201310630281.4(22)申请日2013.11.29(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201210上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号(72)发明人范荣伟龙吟倪棋梁陈宏璘(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275代理人吴世华陶金龙(51)Int.Cl.H01L21/304(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书3页说明书3页附图6页附图6页(54)发明名称改善晶圆剥落缺陷的方法(57)摘要本发明一种改善晶圆剥落缺陷的方法，通过在线晶圆将工艺进行到有源区的刻蚀步骤之后，采用化学机械研磨去除晶圆衬底的晶边上的残留硅衬底，避免在后续工艺中于残留硅衬底的裸露表面上生成剥落缺陷源头，从根本上除形成剥落缺陷源头的关键因素，避免剥落缺陷源头的形成，进而改善了晶圆缺陷，提升了晶圆的良率。CN103646867ACN1036487ACN103646867A权利要求书1/1页1.一种改善晶圆剥落缺陷的方法，其特征在于，包括：提供一晶圆衬底；于所述晶圆衬底上依序涂布底部抗反射层和光刻胶；对所述晶圆衬底进行显影并刻蚀所述晶圆衬底，其中，所述晶圆衬底的晶边上残留有多余的硅衬底；研磨所述晶圆衬底的晶边以去除所述残留的硅衬底。2.根据权利要求1所述的一种改善晶圆剥落缺陷的方法，其特征在于，在涂布所述底部抗反射层之后和涂布所述光刻胶之前，还包括对所述晶圆衬底的洗边工艺。3.根据权利要求2所述的一种改善晶圆剥落缺陷的方法，其特征在于，所述洗边工艺是以一定的洗边距离来去除位于所述晶圆衬底的晶边上的部分底部抗反射层。4.根据权利要求1所述的一种改善晶圆剥落缺陷的方法，其特征在于，所述晶圆衬底进行显影后会有部分底部抗反射层的残留。5.根据权利要求4所述的一种改善晶圆剥落缺陷的方法，其特征在于，所述残留的底部抗反射层会在后续刻蚀所述晶圆衬底的进程中导致多余硅衬底的残留。6.根据权利要求1所述的一种改善晶圆剥落缺陷的方法，其特征在于，所述研磨晶圆衬底的晶边是对所述晶圆衬底的晶边上的残留硅衬底进行研磨。7.根据权利要求1所述的一种改善晶圆剥落缺陷的方法，其特征在于，所述晶圆衬底是通过吸附在转动装置上进行固定并研磨的。8.根据权利要求7所述的一种改善晶圆剥落缺陷的方法，其特征在于，所述研磨为化学机械研磨。9.根据权利要求1所述的一种改善晶圆剥落缺陷的方法，其特征在于，去除所述残留硅衬底，以避免在后续工艺中于所述残留硅衬底的裸露表面上形成剥落缺陷源头，改善晶圆剥落缺陷。2CN103646867A说明书1/3页改善晶圆剥落缺陷的方法技术领域[0001]本发明涉及集成电路制造工艺领域，尤其涉及一种改善晶圆剥落缺陷的方法。背景技术[0002]在半导体集成电路制造中，各工艺过程会因为各种原因而引入微粒或者缺陷，随着对超大规模集成电路高集成度和高性能的需求逐渐增加，半导体技术向着更小的特征尺寸发展，这些微粒或者缺陷对集成电路质量的影响也日趋显著。[0003]图1a和1b为在线产品中一种类别剥落缺陷源头分别在光学显微镜和电子显微镜下的影像。其形成的原因如图2a-2f所示，具体步骤如下：[0004]步骤S01：如图2a和2b所示，在晶圆衬底100上涂布一层底部抗反射层200，使得该底部抗反射层200完全覆盖于晶圆衬底100之上，然后选取一定距离进行洗边以去除部分底部抗反射层200；[0005]步骤S02：如图2c，2d和2e，于上述底部抗反射层200上淀积一层光刻胶300，对晶圆衬底100进行显影并刻蚀该晶圆衬底100，其中，该晶圆衬底100的晶边上会残留有多余的硅衬底100’；[0006]步骤S03：如图2f所示，当在晶圆衬底100上淀积一层绝缘层400时，该晶圆衬底100的晶边上残留硅衬底100’的裸露表面上会形成如图1a和1b所示的剥落缺陷源头500。[0007]现有技术中，为避免晶圆衬底的晶边上的剥落缺陷源头对晶圆良率产生影响，常通过清洗晶边的方式把可能的剥落源头去除，以防止此类缺陷掉入晶圆内部影响良率。但是，此类方法的弊端在于剥落缺陷源头一般在金属沉积层才被发现，如果清洗不到位或清洗过度会造成更多的剥落缺陷，甚至造成严重的金属污染。[0008]因此，如何从根本上去除形成剥落缺陷源头的关键因素，以避免剥落缺陷源头的形成，进而改善晶圆剥落缺陷，提升晶圆的良率就显得十分重要。发明内容[0009]本发明的目的为，针对上述问题，提出了一种改善晶圆剥落缺陷的方法，该方法通过在线晶圆将工艺进行到有源区的刻蚀步骤之后，采用化学机械研磨去除晶圆衬底