一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107123600A(43)申请公布日2017.09.01(21)申请号201710358533.0(22)申请日2017.05.19(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人杜鹏飞张成铖谢岩刘选军(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人俞涤炯(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法(57)摘要本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法，包括：步骤S1，提供一铝衬垫，于铝衬垫上制备具有暴露铝衬垫上表面的一接触孔的复合结构，且复合结构的上表面及接触孔的侧壁覆盖有一含氟聚合物层；步骤S2，采用等离子体刻蚀接触孔的侧壁上覆盖的含氟聚合物层；步骤S3，刻蚀去除复合结构的上表面覆盖的含氟聚合物层；步骤S4，对暴露出的接触孔和复合结构进行清洗；上述技术方案能够排除接触孔侧壁及复合结构的上表面残留的聚合物对铝衬垫的影响，从而改善晶圆表面的缺陷情况。CN107123600ACN107123600A权利要求书1/1页1.一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一铝衬垫，于所述铝衬垫上制备具有暴露所述铝衬垫上表面的一接触孔的复合结构，且所述复合结构的上表面及所述接触孔的侧壁覆盖有一含氟聚合物层；步骤S2，采用等离子体刻蚀所述接触孔的侧壁上覆盖的所述含氟聚合物层；步骤S3，刻蚀去除所述复合结构的上表面覆盖的所述含氟聚合物层；步骤S4，对暴露出的所述接触孔和所述复合结构进行清洗。2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S2中，刻蚀过程使用的工质为惰性气体。3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。4.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氩气的流量为900～1100sccm。5.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S2中，刻蚀过程持续时间为12～18s。6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S3中，刻蚀过程使用的工质为四氟化碳或者氧气。7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S3中，刻蚀过程持续时间为25～35s。8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述复合结构包括：氮氧化硅层，覆盖于所述铝衬垫的上表面；硅酸乙酯层，覆盖于所述氮氧化硅层的上表面；氮化硅层，覆盖于所述硅酸乙酯层的上表面。9.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为250～350A。10.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，所述硅酸乙酯层的厚度为4.5～5.5kA。11.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为5.5～6.5kA。2CN107123600A说明书1/3页一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法。背景技术[0002]在铝衬垫上形成与铝衬垫连接的接触孔是半导体制备工艺中常见的工序步骤，往往需要在铝衬垫上制备复合结构以及光刻胶，经过曝光显影后在复合结构内形成与铝衬垫连接的接触孔。[0003]但是，现有技术中，往往容易在接触孔的侧壁以及复合结构的上表面形成含氟聚合物的沉积，这些含氟聚合物中的氟可能与铝衬垫中的铝或其衍生物反应，生成氢氟酸，而铝离子则会与水(比如空气中游离的水分子)产生反应生成氢氧化铝，此时氢氟酸、氢氧化铝和水反应会生成分子式为AlOxFx的杂质，从而在铝衬垫暴露出的表面上形成缺陷。发明内容[0004]针对上述问题，本发明提出了一种改善晶圆表面缺陷的刻蚀方法，其中，包括：[0005]步骤S1，提供一铝衬垫，于所述铝衬垫上制备具有暴露所述铝衬垫上表面的一接触孔的复合结构，且所述复合结构的上表面及所述接触孔的侧壁覆盖有一含氟聚合物层；[0006]步骤S2，采用等离子体刻蚀所述接触孔的侧壁上覆盖的所述含氟聚合物层；[0007]步骤S3，刻蚀去除所述复合结构的上表面覆盖的所述含氟聚合物层；[0008]步骤S4，对暴露出的所述接触孔和所述复合结构进行清洗。[0009]上述的刻蚀方法，其中，所述步骤S2中，刻蚀过程使用的工质为惰性气体。[0010]上述的刻蚀方法，其中，所述惰性气体为氩气。[0011]上述的刻蚀方法，其中，所述氩气的流量为900～1100sccm。[0012]上述的刻蚀方法，其中，所述步骤S2中，刻蚀过程持续时间为12～18s。[0013]上述的刻蚀方法，其中，所述步骤S3中，刻蚀过程使用的工质为四氟化碳或者氧气。[0014]上述的刻蚀方法，其中