晶圆的晶边缺陷的监控方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109727887A(43)申请公布日2019.05.07(21)申请号201811632588.7(22)申请日2018.12.29(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号(72)发明人曹秋凤王奇伟陈昊瑜(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人郭四华(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图2页(54)发明名称晶圆的晶边缺陷的监控方法(57)摘要本发明公开了一种晶圆的晶边缺陷的监控方法，包括步骤：步骤一、收集已知种类的晶圆的晶边缺陷的扫描照片数字化形成的特征参数并将各种晶边缺陷的特征参数添加到缺陷数据库中；步骤二、对被监控晶圆进行边缘的扫描并拍照并形成扫描照片；步骤三、从被监控晶圆的扫描照片挑出出现的各种晶边缺陷并进行数字化并得到对应的特征参数；步骤四、将被监控晶圆对应的各种晶边缺陷的特征参数和缺陷数据库中的特征参数进行差减，根据差减值来确定被监控晶圆对应的各种晶边缺陷的种类。本发明能对各种已知和新出现的未知缺陷实现全面实时监控，消除对未知缺陷的监控盲点以及消除由监控盲点带来的对产品的影响，提升产品的质量。CN109727887ACN109727887A权利要求书1/2页1.一种晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、收集已知种类的晶圆的晶边缺陷的特征参数，所述特征参数通过对相应的所述晶圆的边缘的晶边缺陷进行扫描拍照并对扫描照片中的所述晶边缺陷的照片进行数字化形成，将已知的所有种类的所述晶边缺陷的特征参数添加到缺陷数据库中；步骤二、对被监控晶圆进行边缘的扫描并拍照并形成扫描照片；步骤三、从所述被监控晶圆的扫描照片挑出出现的各种晶边缺陷，对各种晶边缺陷的照片进行数字化并得到对应的特征参数；步骤四、所述被监控晶圆对应的各种晶边缺陷的特征参数和所述缺陷数据库中的各种晶边缺陷的特征参数进行差减，根据差减值来确定所述被监控晶圆对应的各种晶边缺陷的种类。2.如权利要求1所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：步骤四中，如果所述被监控晶圆对应的各晶边缺陷中的一种晶边缺陷的特征参数和所述缺陷数据库中的一种晶边缺陷的特征参数的差减值小于等于比较阈值，则判定所述被监控晶圆对应的晶边缺陷的种类为已知种类。3.如权利要求1所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：步骤四中，如果所述被监控晶圆对应的各晶边缺陷中的一种晶边缺陷的特征参数和所述缺陷数据库中的所有种类的晶边缺陷的特征参数的差减值都大于比较阈值，则判定所述被监控晶圆对应的晶边缺陷的种类为新种类。4.如权利要求3所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：将所述被监控晶圆对应的新种类的晶边缺陷的特征参数添加到所述缺陷数据库中。5.如权利要求1所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：所述晶圆为直径包括6英寸、8英寸和12英寸以上。6.如权利要求1所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：所述晶边缺陷包括薄膜剥落形成的缺陷。7.如权利要求6所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：所述晶边缺陷对应的剥落的薄膜种类包括：介质膜，金属膜，光刻胶。8.如权利要求1所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：步骤二中包括对所述被监控晶圆的边缘的顶部表面、侧面和底部表面分别进行扫描。9.如权利要求1所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：所述晶边缺陷的特征参数包括形状、面积和亮点。10.如权利要求1所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：对所述晶边缺陷的照片进行数字化之后，还需要进行局部的左右差减实现背景弱化。11.如权利要求1所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：所述晶圆的边缘内部为芯片形成区域。12.如权利要求11所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：当步骤四中检测到所述晶边缺陷且所述晶边缺陷的数量大于等于要求值时，则对所述被监控晶圆进行清洗以去除所述晶边缺陷；当步骤四中检测到所述晶边缺陷且所述晶边缺陷的数量小于要求值时，则所述被监控晶圆进行下一步工艺。2CN109727887A权利要求书2/2页13.如权利要求12所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：当步骤四中检测到所述晶边缺陷且所述晶边缺陷的数量大于等于要求值时，还需对所述被监控晶圆的上一步工艺对应的机台进行检查。14.如权利要求12所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：所述被监控晶圆为产品晶圆。15.如权利要求1所述的晶圆的晶边缺陷的监控方法，其特征在于：步骤一中通过采用缺陷检测机台进行对相应的所述晶圆的边缘的晶边缺陷进行扫描拍照；步骤二中采用所述缺陷检测机台对被监控晶圆进行边缘的扫描