复合基板的制造方法及复合基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103814437103814437A(43)申请公布日2014.05.21(21)申请号201280045370.6(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021(22)申请日2012.09.21代理人齐秀凤(30)优先权数据(51)Int.Cl.2011-2082252011.09.22JP2011-2082242011.09.22JPH01L21/8238(2006.01)2012-1266212012.06.01JPH01L21/02(2006.01)2012-1266222012.06.01JPH01L21/20(2006.01)H01L21/205(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/28(2006.01)2014.03.18H01L27/08(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L27/092(2006.01)PCT/JP2012/0060272012.09.21H01L27/095(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01L27/12(2006.01)WO2013/042381JA2013.03.28H01L29/417(2006.01)H01L29/786(2006.01)(71)申请人住友化学株式会社地址日本东京都申请人独立行政法人产业技术综合研究所(72)发明人高田朋幸山田永秦雅彦前田辰郎板谷太郎安田哲二权权利要求书2页利要求书2页说明书15页说明书15页附图25页附图25页(54)发明名称复合基板的制造方法及复合基板(57)摘要本发明提供一种具备半导体结晶层的复合基板的制造方法，包括：在半导体结晶层形成基板上依次形成牺牲层及半导体结晶层的步骤；将半导体结晶层形成基板与转印目的基板相贴合，使得半导体结晶层形成基板的第一表面与转印目的基板的要与第一表面相接触的第二表面相面对；将半导体结晶层形成基板及转印目的基板的全部或一部分浸渍于刻蚀液中对牺牲层进行刻蚀，在使半导体结晶层保留在转印目的基板侧的状态下将转印目的基板与半导体结晶层形成基板相分离的步骤。此处，转印目的基板具有非柔性基板和有机物层，有机物层的表面为第二表面。CN103814437ACN103847ACN103814437A权利要求书1/2页1.一种具备半导体结晶层的复合基板的制造方法，包括：在半导体结晶层形成基板上按照牺牲层、半导体结晶层的顺序形成所述牺牲层及所述半导体结晶层的步骤；将所述半导体结晶层形成基板与转印目的基板相贴合，使得作为形成于所述半导体结晶层形成基板上的层的表面的第一表面与作为所述转印目的基板或形成于所述转印目的基板上的层的表面并要与所述第一表面相接触的第二表面相面对的步骤；以及将所述半导体结晶层形成基板及所述转印目的基板的全部或一部分浸渍于刻蚀液中对所述牺牲层进行刻蚀，在使所述半导体结晶层保留在所述转印目的基板侧的状态下将所述转印目的基板与所述半导体结晶层形成基板相分离的步骤；所述转印目的基板具有非柔性基板和有机物层，所述有机物层的表面为所述第二表面。2.一种具有半导体结晶层的复合基板的制造方法，包括：在半导体结晶层形成基板上按照牺牲层、半导体结晶层的顺序形成所述牺牲层及所述半导体结晶层的步骤；在所述半导体结晶层上形成由有机物构成的粘合层的步骤；将所述半导体结晶层形成基板与转印目的基板相贴合，使得作为所述粘合层的表面的第一表面与作为所述转印目的基板或形成于所述转印目的基板上的层的表面且要与所述第一表面相接触的第二表面相面对的步骤；以及将所述半导体结晶层形成基板及所述转印目的基板的全部或一部分浸渍于刻蚀液中对所述牺牲层进行刻蚀，在使所述半导体结晶层保留在所述转印目的基板侧的状态下将所述转印目的基板与所述半导体结晶层形成基板相分离的步骤。3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述半导体结晶层由GexSi1-x构成，其中0<x≤1。4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述半导体结晶层的厚度为0.1nm以上且不足1μm。5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述牺牲层及所述半导体结晶层的步骤之后，且在将所述半导体结晶层形成基板与所述转印目的基板相贴合的步骤之前，进一步具有至少刻蚀所述半导体结晶层，将所述半导体结晶层分割成多个分割体，使得所述牺牲层的一部分露出的步骤。6.根据权利要求1所述的制造方法，其中进一步包括：在将所述转印目的基板与所述半导体结晶层形成基板相分离的步骤之后，将所述转印目的基板与第二转印目的基板相贴合，使得所述转印目的基板的所述半导体结晶层侧与所述第二转印目的基板的表面侧相面对的步骤；改变位于所述转印目的基板与所述半导体结晶层之间的所