一种去除光阻残留物的清洗液.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103809393103809393A(43)申请公布日2014.05.21(21)申请号201210451120.4(22)申请日2012.11.12(71)申请人安集微电子科技（上海）有限公司地址201201上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6-9幢底层(72)发明人刘兵彭洪修孙广胜颜金荔徐海玉(74)专利代理机构上海翰鸿律师事务所31246代理人李佳铭(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书6页说明书6页(54)发明名称一种去除光阻残留物的清洗液(57)摘要本发明提供了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。该去除光阻残留物的清洗液含有醇胺，有机溶剂，没食子酸及其酯以及3-氨基-1,2,4-三氮唑。该去除光阻残留物的清洗液不含有水、羟胺和氟化物。该清洗液在去除晶圆上的光阻残留物同时，对于基材如金属铝、银、铜、钛、钨和非金属二氧化硅、氮化镓等基本无腐蚀，在半导体及LED晶片清洗等领域具有良好的应用前景。CN103809393ACN10389ACN103809393A权利要求书1/1页1.一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述清洗液包括醇胺，有机溶剂，没食子酸及其酯以及3-氨基-1,2,4-三氮唑。2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述醇胺的含量为5-50wt%。3.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于，所述醇胺的含量为10-45wt%。4.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述有机溶剂的含量为40-90wt%。5.如权利要求4所述的清洗液，其特征在于，所述有机溶剂的含量为50-85wt%。6.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述没食子酸及其酯的含量为0.05-5wt%。7.如权利要求6所述的清洗液，其特征在于，所述没食子酸及其酯的含量为0.1-3wt%。8.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述3-氨基-1,2,4-三氮唑的含量为0.01-5wt%。9.如权利要求8所述的清洗液，其特征在于，所述3-氨基-1,2,4-三氮唑的含量为0.05-3wt%。10.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。11.如权利要求10所述的清洗液，其特征在于，所述的醇胺选自乙醇胺、二甘醇胺及其混合物。12.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的有机溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。13.如权利要求12所述的清洗液，其特征在于，所述的亚砜选自二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述的砜选自甲基砜、环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的吡咯烷酮选自N-甲基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的咪唑啉酮选自1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺选自二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；所述的醇醚选自乙二醇烷基醚、丙二醇烷基醚中的一种或多种。14.如权利要求13述的清洗液，其特征在于，所述的乙二醇烷基醚为乙二醇单乙醚、二乙二醇单甲醚和二乙二醇单丁醚中的一种或多种；所述的丙二醇烷基醚为丙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。15.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的没食子酸及其酯选自没食子酸、没食子酸甲酯、没食子酸乙酯、没食子酸丁酯、没食子酸辛酯、没食子酸月桂酯、1-没食子酸甘油酯中的一种或多种。16.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液不含有有水、羟胺和/或氟化物。2CN103809393A说明书1/6页一种去除光阻残留物的清洗液技术领域[0001]本发明涉及一种清洗液，更具体地说，涉及一种去除光阻残留物的清洗液。背景技术[0002]在通常的LED和半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。[0003]目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。其中一类是含有水的光刻胶清洗液，其含水量一般大于5％；如JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵（TMAH）、二甲基亚砜（DMSO）、1，3’-二甲基-2-咪唑烷酮（DMI）和水。将