一种用于去除光阻残留物的清洗液.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104345583104345583A(43)申请公布日2015.02.11(21)申请号201310336761.X(22)申请日2013.08.02(71)申请人安集微电子科技（上海）有限公司地址201201上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6-9幢底层(72)发明人何春阳刘兵孙广胜(74)专利代理机构上海翰鸿律师事务所31246代理人李佳铭(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书7页说明书7页(54)发明名称一种用于去除光阻残留物的清洗液(57)摘要本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液。这种去除光阻残留物的清洗液包含季胺氢氧化物，醇胺，溶剂，硅烷，并进一步含有带有颜料吸附基团的星形共聚物。CN104345583ACN104358ACN104345583A权利要求书1/1页1.一种用于去除光阻残留物的清洗液，其包含季胺氢氧化物，醇胺，溶剂，硅烷，其特征在于，进一步含有带有颜料吸附基团的星形共聚物。2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的季胺氢氧化物的含量为质量百分比0.1-6%，所述的醇胺含量为质量百分比0.1-20%，所述的硅烷的含量为质量百分比0.1～8%，所述的带有颜料吸附基团的星型共聚物为质量百分比0.01～5%，所述的溶剂为余量。3.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于，所述的季胺氢氧化物的含量为质量百分比0.5-5%，所述的醇胺含量为质量百分比0.5-10%，所述的硅烷的含量为质量百分比0.5-4%，带有颜料吸附基团的星形共聚物的含量为质量百分比0.05-3%，所述的溶剂为余量。4.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的季胺氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。5.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺的一种或多种。6.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的硅烷为四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、三甲氧基甲基硅烷、三甲氧基乙基硅烷、三甲氧基丙基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、二甲氧基二乙基硅烷、三乙氧基甲基硅烷和（3-氨丙基）三乙氧基硅烷中的一种或多种。7.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的带有颜料吸附基团的星形共聚物为含有羟基、氨基或羧基的颜料亲和基团的星形聚合物。8.如权利要求7所述的清洗液，其特征在于，所述的带有颜料吸附基团的星形共聚物为丙烯酸酯类单体和/或与乙烯基单体合成的星形共聚物。9.如权利要求8所述的清洗液，其特征在于，所述的带有颜料吸附基团的星形共聚物为聚丙烯酸星形共聚物、苯乙烯与丙烯酸羟乙酯的二元星形共聚物、丙烯酸甲酯及丙烯酸羟乙酯的二元星形共聚物、丙烯酸与及丙烯酸羟乙酯的二元星形共聚物或丙烯酸与丙烯酸丁酯及丙烯酰胺的三元星形共聚物中的一种或多种。10.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的有机溶剂为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。11.如权利要求10所述的清洗液，其特征在于，所述的亚砜为二甲基亚砜和/或甲乙基亚砜；所述的砜为甲基砜和/或环丁砜；所述的咪唑烷酮为2-咪唑烷酮和/或1,3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮和/或N-环己基吡咯烷酮；所述的咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺和/或二甲基乙酰胺；所述的醇醚为二乙二醇单丁醚和/或二丙二醇单甲醚。12.一种如权利要求1所述的清洗液在去除光阻残留物的应用。2CN104345583A说明书1/7页一种用于去除光阻残留物的清洗液技术领域[0001]本发明涉及一种用于去除光阻残留物的清洗液。背景技术[0002]在半导体元器件制造过程中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要除去残留的光刻胶。在该光刻胶去除的过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材，尤其是严格控制金属铝铜的腐蚀。[0003]目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。如JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵（TMAH）、二甲基亚砜（DMSO）、1,3’-二甲基-2-咪唑烷酮（DMI）和水。将晶片浸入该清洗液中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μ