一种碳化硅器件的栅槽制作方法.pdf

本发明涉及半导体制造工艺，特别涉及一种碳化硅UMOS器件的栅槽制作方法。本发明的碳化硅器件的栅槽制作方法，主要是：根据栅槽区域窗口对碳化硅外延片上的介质层进行刻蚀，在刻蚀中保留碳化硅上表面部分介质层，然后采用腐蚀工艺对该部分介质层进行腐蚀，使介质层与碳化硅外延片的接触区域形成圆滑的弧形，从而使碳化硅外延片在刻蚀后能形成侧壁陡直、无微沟槽且底脚圆滑的碳化硅栅槽结构。本发明的有益效果为，得到了侧壁陡直、无微沟槽且底脚圆滑的碳化硅栅槽结构，减小了槽栅底部的电场集中效应，提高了器件击穿性能和可靠性。本发明尤其适用

2023-11-22

10

1.7MB

一种沟槽栅器件的制作方法.pdf

本发明公开了一种沟槽栅器件的制作方法，通过采用分步刻蚀工艺，形成相连通的经部分刻蚀的沟槽栅区和经完整刻蚀的隔离区，并填充隔离材料，然后采用原位再次定义沟槽栅区的方式形成沟槽栅，从而彻底消除了原来在沟槽栅与隔离区之间存在的残留硅漏电通路，减小了源漏之间的漏电，并可实现对沟槽栅区与隔离区的同步蚀刻，且与原沟槽栅制造工艺相兼容。

2023-11-20

10

732KB

一种减小槽栅结构半浮栅器件漏电的方法.pdf

本发明公开了一种减小槽栅结构半浮栅器件漏电的方法，通过高温氧化工艺，对在刻蚀凹槽过程中槽栅沟道区域内靠近场氧化层侧壁处残留的硅进行氧化处理，形成具有绝缘效果的侧壁牺牲氧化层，避免了电流沿着侧壁之间残留下的硅的方向流动，使得电流可沿着器件凹槽形沟道方向流动，从而减小了在源区和漏区之间产生漏电的现象，可与现有工艺相集成，且成本可控。

2023-11-22

10

2.5MB

屏蔽栅功率器件的制作方法以及屏蔽栅功率器件.pdf

本申请的实施例提出了一种屏蔽栅功率器件的制作方法和屏蔽栅功率器件。制作方法的步骤包括：提供衬底，衬底的一侧形成有外延片，在外延片上形成深沟槽，其中，深沟槽包括有源区和位于有源区两端的端部；在外延片的一侧表面和深沟槽的内壁生长场氧化层，并在深沟槽内填充第一多晶硅；在场氧化层的表面和第一多晶硅上形成氮化硅，并刻蚀位于有源区的氮化硅和一部分位于深沟槽的顶部的场氧化层，以形成栅沟槽，保留位于深沟槽端部的氮化硅和场氧化层；刻蚀位于深沟槽端部的氮化硅，保留位于深沟槽端部的场氧化层。本实施例在刻蚀栅沟槽和场氧化层时，能

2023-11-05

10

515KB

一种沟槽栅功率器件栅极制作方法.pdf

本发明涉及一种沟槽栅功率器件栅极制作方法，包括以下步骤：步骤一：提供半导体衬底；步骤二：在半导体衬底上刻蚀沟槽；步骤三：在半导体衬底的上表面和沟槽的内壁上形成栅极氧化层；步骤四：在半导体衬底的上表面淀积栅极材料并填满沟槽；步骤五：氧化栅极材料并形成氧化栅极材料层；步骤六：刻蚀氧化栅极材料层。本发明利用高温炉管氧化工艺，通过氧化半导体衬底上表面的多晶硅，产生厚度均匀的多晶硅氧化层。然后利用多晶硅氧化层相对多晶硅的高刻蚀选择比，通过干法或湿法刻蚀多晶硅氧化层，从而在沟槽内形成深度均匀的多晶硅，构成完整的栅极结

2023-06-16

10

515KB