一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法.pdf
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一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法.pdf
一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法,包括以下步骤:(1)将多晶硅片置于按体积比混合的溶液中:质量分数37%的浓盐酸18-24份、质量分数65%的浓硝酸6-8份、去离子水98-106份,常温清洗60-360s;(2)将步骤(1)清洗后的硅片置于用去离子水中常温浸泡80-240s以清除残留在硅片表面的硝酸和盐酸;(3)将步骤(2)清洗过的硅片放入按体积比混合的溶液中:质量分数49%的浓氢氟酸15-35份,质量分数37%的浓盐酸15-35份,去离子水75-100份,常温浸泡120-360s,去除硅片表面形成的氧化
一种硅片玻璃钝化前的清洗方法.pdf
本发明属于半导体元件技术领域,具体涉及一种硅片玻璃钝化前的清洗方法,包括如下步骤:(1)硅片首先采用sc‑1清洗液、sc‑2清洗液依次进行清洗;(2)将步骤(1)清洗后的硅片置于盛有磷酸的石英方缸中,在温度为80±5℃条件下加热5‑20分钟,加热过程中硅片上下或者左右晃动,清洗完成后取出用去离子水冲洗20‑30分钟,冲洗后硅片置于甩干机甩干。本发明在SC‑1、SC‑2清洗后后增加磷酸清洗,利用微观的磷残留,在玻璃粉高温烧结过程中,磷的吸杂特性和固定电荷作用,可有效弥补前期缺陷或者异常电荷,保护产品电特性,
多晶硅片的磷扩散工艺.pdf
本发明涉及一种多晶硅片的磷扩散工艺,特征是:将制好绒面的多晶硅片清洗干净后放置在扩散炉中进行护散,扩散采用十步扩散步骤:扩散时通入氮气,氮气的通入量为20000ml。多晶硅片扩散后方块电阻为60Ω,将扩散好的多晶硅片加工成电池片。本发明低温扩散能更好的保护扩散炉,延长扩散炉的使用寿命,低温扩散也可以降低电的消耗量,降低太阳能电池的加工成本;通过扩散条件的改变,硅片扩散后的方块电阻比传统工艺提高了10Ω;用本发明所述的扩散工艺做成的电池片的开路电压比以前提高了2mV,电池片的短路电流比以前提高了0.03A,
用于制造高效多晶硅硅片的制备方法.pdf
本发明涉及一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法,该方法包括以下步骤:利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭,在多晶炉中进行多晶硅铸锭制备;将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块约为的长方体;对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测,并去除低少子寿命区;利用机械加工的方法,沿铸锭长晶方向截取硅锭;将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割,粘棒,并切片;最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。这种制备方法既能增大多晶硅片的晶粒尺寸,又能减小多晶硅片的缺陷密度,提高多晶硅片的质量,提
一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片扩散用石英舟及扩散方法.pdf
本发明提供一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池扩散用石英舟,包括石英舟本体、支撑件、加强件和锁紧件,支撑件与石英舟本体可拆卸连接,且支撑件可相对于加强件移动,并通过锁紧件锁紧,支撑件设于石英舟本体底部,便于对硅片进行支撑;加强件与石英舟本体可拆卸连接,且加强件可相对于石英舟本体移动,并通过锁紧件锁紧,加强件与支撑件平行设置,便于对硅片插片时进行定位;支撑件与加强件上均设有卡齿,且支撑件上的卡齿与加强件上的卡齿一一对应;卡齿包括连接部和支撑部,连接部与支撑部连接。本发明的有益效果是适合硅片电池扩散时使用,对石英