一种硅片玻璃钝化前的清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112242294A(43)申请公布日2021.01.19(21)申请号202010472723.7(22)申请日2020.05.29(71)申请人济宁东方芯电子科技有限公司地址272100山东省济宁市兖州区兖颜路路北天齐庙村村西(72)发明人耿开远(74)专利代理机构青岛发思特专利商标代理有限公司37212代理人卢登涛(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)B08B3/04(2006.01)B08B3/08(2006.01)B08B3/10(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种硅片玻璃钝化前的清洗方法(57)摘要本发明属于半导体元件技术领域，具体涉及一种硅片玻璃钝化前的清洗方法，包括如下步骤：(1)硅片首先采用sc‑1清洗液、sc‑2清洗液依次进行清洗；(2)将步骤(1)清洗后的硅片置于盛有磷酸的石英方缸中，在温度为80±5℃条件下加热5‑20分钟，加热过程中硅片上下或者左右晃动，清洗完成后取出用去离子水冲洗20‑30分钟，冲洗后硅片置于甩干机甩干。本发明在SC‑1、SC‑2清洗后后增加磷酸清洗，利用微观的磷残留，在玻璃粉高温烧结过程中，磷的吸杂特性和固定电荷作用，可有效弥补前期缺陷或者异常电荷，保护产品电特性，同时提高产品漏电水平，优化了产品性能，在同款可控硅产品验证中，平均漏电流由0.67uA下降至0.59uA，漏电流减小，提高产品漏电水平，优化了产品性能。CN112242294ACN112242294A权利要求书1/1页1.一种硅片玻璃钝化前的清洗方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)硅片首先采用sc-1清洗液、sc-2清洗液依次进行清洗；(2)将步骤(1)清洗后的硅片置于盛有磷酸的石英方缸中，在温度为80±5℃条件下加热5-20分钟，加热过程中硅片上下或者左右晃动，清洗完成后取出用去离子水冲洗20-30分钟，冲洗后硅片置于甩干机甩干。2.根据权利要求1所述的硅片玻璃钝化前的清洗方法，其特征在于：sc-1清洗液的组分为：盐酸：双氧水：DI水＝1：2：5。3.根据权利要求1所述的硅片玻璃钝化前的清洗方法，其特征在于：sc-1清洗液的组分为：硝酸：双氧水：DI水＝1：1：6。4.根据权利要求1-3任一所述的硅片玻璃钝化前的清洗方法，其特征在于：sc-1清洗液、sc-2清洗液进行清洗时工艺条件为：温度为80±5℃，清洗时间10min。5.根据权利要求1所述的硅片玻璃钝化前的清洗方法，其特征在于：磷酸浓度为98％。6.根据权利要求1所述的硅片玻璃钝化前的清洗方法，其特征在于：步骤(2)中加热设备为电加热板或着带加热的石英缸。2CN112242294A说明书1/2页一种硅片玻璃钝化前的清洗方法技术领域[0001]本发明属于半导体元件技术领域，具体涉及一种硅片玻璃钝化前的清洗方法。背景技术[0002]由于半导体器件芯片表面容易受到外界气氛的影响，为保持它的稳定性，使之长期稳定的工作，硅芯片PN结表面必须用绝缘材料完全密封，芯片表面受到外界影响的保护方法有多种多样，其中用钝化玻璃保护是目前比较直接有效的方法。[0003]硅片的玻璃钝化前，需要进行表面清洗，现有的清洗方法为，采用sc-1(盐酸：双氧水：DI水＝1：2：5)，sc-2(硝酸：双氧水：DI水＝1：1：6)标准清洗(80±5℃，10min)，去除表面可能的沾污，然后刮涂玻璃粉，使得玻璃有效保护pn结，上述清洗后进行玻璃钝化的缺陷在于，钝化后受环境及水质等影响仍有部分缺陷或者残留导致电特性失效。发明内容[0004]针对以上技术问题，本发明目的在于提供一种硅片玻璃钝化前的清洗方法，可有效弥补前期缺陷或者异常电荷，保护产品电特性，同时提高产品漏电水平，优化了产品性能。[0005]本发明所述的硅片玻璃钝化前的清洗方法，包括如下步骤：[0006](1)硅片首先采用sc-1清洗液、sc-2清洗液依次进行清洗；[0007](2)将步骤(1)清洗后的硅片置于盛有磷酸的石英方缸中，在温度为80±5℃条件下加热5-20分钟，加热过程中硅片上下或者左右晃动，清洗完成后取出用去离子水冲洗20-30分钟，冲洗后硅片置于甩干机甩干。[0008]sc-1清洗液的组分为：盐酸：双氧水：DI水＝1：2：5。[0009]sc-1清洗液的组分为：硝酸：双氧水：DI水＝1：1：6。[0010]sc-1清洗液、sc-2清洗液进行清洗时工艺条件为：温度为80±5℃，清洗时间10min。[0011]磷酸浓度为98％。[0012]步骤(2)中加热设备为电加热板或着带加热的石英缸。[0013]本发明与现有技术相比，具有以下有益效果。[0014]本发明在SC-1、SC-2