一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片扩散用石英舟及扩散方法.pdf
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一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片扩散用石英舟及扩散方法.pdf
本发明提供一种用于叠瓦、半片大尺寸硅片电池扩散用石英舟,包括石英舟本体、支撑件、加强件和锁紧件,支撑件与石英舟本体可拆卸连接,且支撑件可相对于加强件移动,并通过锁紧件锁紧,支撑件设于石英舟本体底部,便于对硅片进行支撑;加强件与石英舟本体可拆卸连接,且加强件可相对于石英舟本体移动,并通过锁紧件锁紧,加强件与支撑件平行设置,便于对硅片插片时进行定位;支撑件与加强件上均设有卡齿,且支撑件上的卡齿与加强件上的卡齿一一对应;卡齿包括连接部和支撑部,连接部与支撑部连接。本发明的有益效果是适合硅片电池扩散时使用,对石英
一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺.pdf
本发明公开了一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺;包括:S1、用纯水冲洗石英舟卡槽内的硅渣;S2、用纯水漂洗石英舟;S3、用氢氟酸和盐酸的混合液浸泡石英舟;S4、用纯水漂洗石英舟,漂洗至石英舟表面吸附的水呈中性;吹干残留水渍;S5、将饱和炉管升温,用大流量氮气吹扫饱和炉管;S6、将石英舟送入到炉管内;升温并通氮气,维持;S7、将炉管抽至低压状态并维持,通入氮气吹扫炉管;S8、向炉管中通入氮气和氧气氧化;S9、通氮气、氧气和小氮饱和处理;S10、重复步骤S8和S9;S11、通入氮气和氧气冷却石英舟;S12、
一种大尺寸硅片扩散工艺.pdf
本发明提供一种大尺寸硅片扩散工艺,将硅片放入扩散炉后,进行扩散,包括以下步骤,稳定硅片表面温度,减少硅片中心与边缘的温度差;制备氧化层,进行硅片表面氧化;低温恒定源扩散,进行硅片表面沉积磷源;高温推进,便于形成PN结;高温通源,进行扩散补源;二步推结,形成磷硅玻璃层;降温出炉。本发明的有益效果是具有稳定温度工序,减少硅片中心与边缘的温度差,再通入反应气体,使得硅片的均匀性更好。
一种适用于磷扩散石英舟的饱和方法.pdf
本发明提供一种适用于磷扩散石英舟的饱和方法,包括以下步骤:酸洗石英舟,吹干;将石英舟推入炉管中,通入氧气、氮气升温至850~900度,氧气流量0sccm~2slm,氮气流量100sccm~2slm;持续通入氧气和氮气,氧气流量100sccm~5slm,氮气流量0sccm~5slm,时间范围10~90分钟,保持压力在50mbar~常压;降温出舟,温度降低后,回压出舟。本发明饱和过程中不通POCl
一种硅片扩散装置及硅片插片方法.pdf
本发明公开一种硅片扩散装置包括进气管、炉管、炉门、支架、排气管、石英舟;所述进气管、炉门分别设置在炉管的两端;所述石英舟设置在支架上侧,且两者均设置在炉管内部;所述排气管一端设置在炉管的内部,另一端由炉管内向外延伸;所述石英舟包括若干垂直于支架设置的石英棒;所述每一石英棒均开设若干开口朝内的卡槽,且卡槽开口长度方向与支架所在水平面平行。同时公开了一种硅片插片方法是将背靠背水平叠放的两硅片沿上述硅片扩散装置的卡槽开设方向平行插入所述卡槽内。本发明使硅片扩散后方阻均匀性良好,从而能获得更好的扩散效果,并且易于