用于制造高效多晶硅硅片的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102729342A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102729342A(43)申请公布日2012.10.17(21)申请号201210183776.2(22)申请日2012.06.06(71)申请人海润光伏科技股份有限公司地址214407江苏省无锡市江阴市徐霞客镇璜塘工业园区环镇北路178号(72)发明人李晓辉黄东孙海知潘欢欢宋江邢国强(74)专利代理机构江阴市同盛专利事务所32210代理人唐纫兰曾丹(51)Int.Cl.B28D5/00(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书22页页附图附图11页(54)发明名称用于制造高效多晶硅硅片的制备方法(57)摘要本发明涉及一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，该方法包括以下步骤：利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，在多晶炉中进行多晶硅铸锭制备；将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块约为的长方体；对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区；利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取硅锭；将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割，粘棒，并切片；最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。这种制备方法既能增大多晶硅片的晶粒尺寸，又能减小多晶硅片的缺陷密度，提高多晶硅片的质量，提升多晶硅电池片效率。CN1027934ACN102729342A权利要求书1/1页1.一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：①、利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，进行多晶硅铸锭制备；②、将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块长方体；③、对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区；④、利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取硅锭；⑤、将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割，粘棒，并切片；⑥、最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。2CN102729342A说明书1/2页用于制造高效多晶硅硅片的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，属于多晶硅铸锭设备技术领域。背景技术[0002]太阳能是人类取之不尽，用之不竭的清洁能源，在使用过程中对环境不会造成任何污染。因此，太阳能的光电利用近几年得到了飞速发展，但和常规能源相比，其成本相对较高制约了太阳电池的发展。[0003]多晶硅片是目前太阳能电池行业最主要的两种衬底材料之一，多晶硅片由铸造制得，具有产量高、成本低等特点，然而多晶硅电池片的转化效率较低。因此，如何改善多晶硅片的质量，从而提高多晶硅电池片的转化效率便成了一大问题。发明内容[0004]本发明的目的在于克服上述不足，提供一种既能增大多晶硅片的晶粒尺寸，又能减小多晶硅片的缺陷密度，提高多晶硅片的质量，提升多晶硅电池片效率的用于制造高效多晶硅硅片的制备方法。[0005]本发明的目的是这样实现的：本发明用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，该方法包括以下步骤：①、利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，进行多晶硅铸锭制备。[0006]②、将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块长方体。[0007]③、对切割成的多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区。[0008]④、利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取硅锭。[0009]⑤、将截取出来的硅锭按照平行于铸锭长晶方向的切割线进行切割，粘棒，并切片。[0010]⑥、最后将切出的硅片利用传统多晶电池片工艺进行电池片制造。[0011]本发明用于制造高效多晶硅硅片的制备方法具有以下优点：本发明用于制造高效多晶硅硅片的制备方法将切方完成后的多晶铸锭沿铸锭长晶方向按一定长度进行截取，待硅锭粘棒、切割时旋转90°，即切片时，切割线切割方向平行于铸锭长晶方向，工艺简便易行所得硅片晶粒尺寸比传统切片工艺的大两倍以上，并且缺陷密度小，成本低、硅片质量高电池片绝对转换效率得到了明显提升。附图说明[0012]图1为本发明用于制造高效多晶硅硅片的制备方法的切片工艺示意图。[0013]其中：A为长晶方向，B为切割线切割方向。具体实施方式3CN102729342A说明书2/2页[0014]参见图1，本发明涉及一种用于制造高效多晶硅硅片的制备方法，该方法包括以下步骤：①、利用传统DSS铸造多晶硅方法生产硅锭，在多晶炉中的投料量为820Kg，进行多晶硅铸锭制备。[0015]②、将该铸造完成后多晶硅锭切割成多块约为156.1*156.1*360mm的长方体，共36块。[0016]③、对该36块多晶硅锭进行少子寿命、杂质、阴影等检测，并去除低少子寿命区。[0017]④、利用机械加工的方法，沿铸锭长晶方向截取长度约156.1mm的硅锭。[0018]⑤、将截取出来的硅锭按照平行于铸