包括电介质材料的半导体器件.pdf

本发明涉及包括电介质材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括提供载体及具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的半导体晶片。该方法包括向该载体或该半导体晶片施加电介质材料并通过该电介质材料将该半导体晶片接合至该载体。该方法包括处理半导体晶片并从该半导体晶片移除该载体，以使该电介质材料保留在该半导体晶片上以提供包括该电介质材料的半导体器件。

2023-11-22

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包括铁电层和电介质结构的半导体器件及其制造方法.pdf

本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一电极；铁电层，该铁电层设置在第一电极上并且实现负电容；电介质结构，该电介质结构设置在铁电层上并包括交替叠置的第一电介质层和第二电介质层；以及第二电极，该第二电极设置在电介质结构上。铁电层和电介质结构被配置为彼此串联电连接。铁电层和电介质结构共同具有非铁电特性。

2023-06-07

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半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装.pdf

本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第二导电半导体层具有范围为1：1.25至1：100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率，第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离，第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离；第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面；第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且

2023-06-11

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半导体器件和包括半导体器件的半导体封装.pdf

半导体器件可以包括：衬底、位于衬底的底表面上的第一绝缘层、在第一绝缘层中的互连结构、在第一绝缘层的底表面上的第二绝缘层、以及设置在第二绝缘层中的多个下焊盘。每个下焊盘可以设置为使得其顶表面的宽度小于其底表面的宽度。下焊盘可以包括第一下焊盘、第二下焊盘和第三下焊盘。在平面图中，第一下焊盘和第三下焊盘可以分别与衬底的中心部分和边缘部分相邻，而第二下焊盘可以设置在其间。第二下焊盘的底表面的宽度可以小于第一下焊盘的底表面的宽度并且可以大于第三下焊盘的底表面的宽度。

2023-05-26

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包括器件的半导体管芯.pdf

本申请涉及一种半导体管芯（20），包括在管芯（20）的有源区域（21）中的器件（1），该器件（1）包括在垂直延伸到半导体本体（20）中的场电极沟槽（7）中形成的场电极区（10），其中场电极区（10）包括在场电极沟槽（7）中垂直堆叠在彼此上面的第一和第二场电极（11，12），横向位于管芯（20）的有源区域（21）和横向边缘区（23）之间的边缘终止结构（22），该边缘终止结构（22）包括第一和第二屏蔽电极（31，32），其横向连续布置在有源区域（21）和横向边缘区（23）之间，以逐步降低边缘区（23）和有源区

2023-06-07

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