包括器件的半导体管芯.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115842055A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202211149486.6(22)申请日2022.09.21(30)优先权数据21198026.32021.09.21EP(71)申请人英飞凌科技奥地利有限公司地址奥地利菲拉赫西门子大街2号(72)发明人A·芬尼O·布兰克A·费拉拉S·泰根(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001专利代理师陈晓周学斌(51)Int.Cl.H01L29/78(2006.01)H01L29/40(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称包括器件的半导体管芯(57)摘要本申请涉及一种半导体管芯（20），包括在管芯（20）的有源区域（21）中的器件（1），该器件（1）包括在垂直延伸到半导体本体（20）中的场电极沟槽（7）中形成的场电极区（10），其中场电极区（10）包括在场电极沟槽（7）中垂直堆叠在彼此上面的第一和第二场电极（11，12），横向位于管芯（20）的有源区域（21）和横向边缘区（23）之间的边缘终止结构（22），该边缘终止结构（22）包括第一和第二屏蔽电极（31，32），其横向连续布置在有源区域（21）和横向边缘区（23）之间，以逐步降低边缘区（23）和有源区域（21）之间的电势。CN115842055ACN115842055A权利要求书1/2页1.一种半导体管芯（20），包括在所述管芯（20）的有源区域（21）中的器件（1），所述器件（1）包括在垂直延伸到半导体本体（20）中的场电极沟槽（7）中形成的场电极区（10），其中所述场电极区（10）包括在所述场电极沟槽（7）中垂直堆叠在彼此上面的第一和第二场电极（11，12），横向位于所述管芯（20）的有源区域（21）和横向边缘区（23）之间的边缘终止结构（22），所述边缘终止结构（22）包括第一和第二屏蔽电极（31，32），其横向连续布置在所述有源区域（21）和所述横向边缘区（23）之间，以逐步降低边缘区（23）和所述有源区域（21）之间的电势。2.根据权利要求1所述的半导体管芯（20），其中所述第一屏蔽电极（31）被电连接到所述第一场电极（11）和/或所述第二屏蔽电极（32）电连接到所述第二场电极（12）。3.根据权利要求1或2所述的半导体管芯（20），其中所述第一场电极（11）被布置在所述第二场电极（12）的垂直下面，并且所述第一屏蔽电极（31）被布置在所述第二屏蔽电极（32）的横向外部。4.根据权利要求3所述的半导体管芯（20），其中所述第一屏蔽电极（31）比所述第二屏蔽电极（32）垂直向下延伸得更深。5.根据权利要求3或4所述的半导体管芯（20），其中所述第二屏蔽电极（32）的下端（32.1）被布置在与所述第二场电极（12）的下端（12.1）相同的垂直高度上。6.根据权利要求3至5中任一项所述的半导体管芯（20），还包括第三场电极（13）和第三屏蔽电极（33），所述第三场电极（13）布置在所述第二场电极（12）垂直上面，并且所述第三屏蔽电极（33）布置在所述第二屏蔽电极（32）横向内部。7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体管芯（20），其中所述屏蔽电极（31，32）被布置在公共沟槽（35）中，并且在平行于第一横向方向（41）的第一垂直截面上看，被绝缘材料层（45）彼此分开。8.根据权利要求2和7所述的半导体管芯（20），其中分别连接的所述屏蔽电极（31，32）和所述场电极（11，12）由相同的连续场电极材料（55.1，55.2）制成。9.根据权利要求7或8所述的半导体管芯（20），其中在第一垂直截面中看，所述第一屏蔽电极（31）和所述第一场电极（11）之间的过渡部分（60）的上边缘（60.1）具有弯曲形状。10.根据权利要求7‑9中任一项所述的半导体管芯（20），包括在附加沟槽（70）中的附加屏蔽电极（65），在第一垂直截面中看，所述附加沟槽（70）通过半导体本体（15）的一部分（20.1）与公共沟槽（35）分离，并且布置在公共沟槽（35）的横向外部。11.根据权利要求10所述的半导体管芯（20），其中所述附加屏蔽电极（65）围绕所述有源区域（21）。12.根据权利要求1‑6中任一项所述的半导体管芯（20），其中在平行于第二横向方向（42）的第二垂直截面中看，所述第一屏蔽电极（31）被布置在第一沟槽（81）中，并且所述第二屏蔽电极（32）被布置在第二沟槽（82）中，第一和第二沟槽（81，82）通过半导体本体（15）的一部分（15.2）彼此分开。13.根据权利要求12所述的半导体管芯（20），其中在第二垂直截面中看，所述第一沟槽2CN115842055A权利要求书2/2页（81）仅包含第一屏蔽电极（31），