一种蓝宝石晶片的清洗工艺.pdf
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一种蓝宝石晶片的清洗工艺.pdf
本发明公开了一种蓝宝石晶片的清洗工艺。该方法包括:先使用物理擦片配合超声方法去掉晶片表面大多数粘附性较强的油污和脏污,再用硫酸双氧水的混合溶液彻底清洗掉表面残留脏污,然后快排冲洗槽清洗,旋干或吹干。经本发明清洗的晶片表面洁净,无损伤,且实施效率极高。本发明可用于蓝宝石晶片GaN基LED芯片的外延层生长过程、PSS图形生长及管芯的前段制作过程的清洗。
一种蓝宝石晶片退火工艺.pdf
本发明属于晶片加工制作技术领域,提供了一种蓝宝石晶片退火工艺,多级退火处理如下:第一步,退火炉升温,由室温升温至1000℃,梯度2.5‑3℃/min,并恒温30‑60min;第二步,升温至1450℃,梯度2.5‑3℃/min,恒温8‑12h;第三步,缓慢降温至1200℃,降温梯度1.5‑2℃/min,并恒温2‑3h;第四步,继续降温至600℃,降温梯度1.5‑2℃/min,并继续恒温2‑3h;退火炉停止工作,将晶片自然降温至室温。通过本发明可以将切割、研磨的warp进行分类退火,达到应力释放,并使得蓝宝石
一种蓝宝石晶片用的清洗剂.pdf
本发明公开了一种蓝宝石晶片用的清洗剂,包括以下按重量份数计的组分:改性淀粉10‑18份、碳酸钾3‑5份、表面活性剂9‑12份、柠檬酸钠15‑20份、偏酒石酸10‑15份、醋酸甲酯25‑35份、聚乙二醇1‑3份、稳定剂0.3‑0.8份、硼砂30‑50份、磷酸二丁酯5‑10份、去离子水30‑40份;所述改性淀粉由淀粉、甲基羟丙基纤维素与纳米石墨烯按照摩尔比为25‑38:1:4‑8。该清洗剂组分简单,成本低廉,即能清洗加工过程中各种液体的残留,且能有效降低蓝宝石表面反光。
一种蓝宝石晶片切割设备及工艺.pdf
本发明公开了一种蓝宝石晶片切割设备及工艺,包括第一支板、第二支板、底板、U型支板、侧滑板、条形槽、长圆筒、第一气缸、条形切刀、第二气缸、L型板、环框、轴承、环形齿轮、短圆筒、螺杆、伺服电机、驱动齿轮、滚珠、第一吸盘、第三气缸、螺纹长杆、第二吸盘、螺纹深孔和圆板。本发明,便于将待分切的蓝宝石晶棒两端经两个相应吸盘及相连结构进行固定住,同时能够在第三气缸推动及第一气缸的推杆上的滚珠辅助下,达到逐步向切割结构处供料的效果,通过启动第二气缸推动相连的条形切刀分阶段伸刀切割蓝宝石晶棒同一部位,能够避免出现卡刀的情况
一种蓝宝石晶片清洗剂及其制备方法.pdf
本发明属于宝石晶片加工技术领域,具体涉及一种蓝宝石晶片清洗剂及其制备方法。所述蓝宝石晶片清洗剂包括以下质量份组分:二氧化硅35‑48份、乙醚38‑44份、壳聚糖8‑15份、聚乙二醇7‑11份、二硼化钛8‑14份、甘油11‑15份、炭黑6‑7份、椰子油6‑9份、茶树油1‑3.5份、表面活性剂4‑7份、去离子水150‑180份。本发明制备得到的清洁剂可祛除蓝宝石基片表面颗粒、金属离子和有机物残留等研磨、抛光过程中留下来的残留物,清洗后无任何可见杂物残留,且本发明的制备方法简单有效,对环境友好,适合工业化生产。