一种蓝宝石晶片切割设备及工艺.pdf
茂学****23
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一种蓝宝石晶片切割设备及工艺.pdf
本发明公开了一种蓝宝石晶片切割设备及工艺,包括第一支板、第二支板、底板、U型支板、侧滑板、条形槽、长圆筒、第一气缸、条形切刀、第二气缸、L型板、环框、轴承、环形齿轮、短圆筒、螺杆、伺服电机、驱动齿轮、滚珠、第一吸盘、第三气缸、螺纹长杆、第二吸盘、螺纹深孔和圆板。本发明,便于将待分切的蓝宝石晶棒两端经两个相应吸盘及相连结构进行固定住,同时能够在第三气缸推动及第一气缸的推杆上的滚珠辅助下,达到逐步向切割结构处供料的效果,通过启动第二气缸推动相连的条形切刀分阶段伸刀切割蓝宝石晶棒同一部位,能够避免出现卡刀的情况
一种蓝宝石晶片退火工艺.pdf
本发明属于晶片加工制作技术领域,提供了一种蓝宝石晶片退火工艺,多级退火处理如下:第一步,退火炉升温,由室温升温至1000℃,梯度2.5‑3℃/min,并恒温30‑60min;第二步,升温至1450℃,梯度2.5‑3℃/min,恒温8‑12h;第三步,缓慢降温至1200℃,降温梯度1.5‑2℃/min,并恒温2‑3h;第四步,继续降温至600℃,降温梯度1.5‑2℃/min,并继续恒温2‑3h;退火炉停止工作,将晶片自然降温至室温。通过本发明可以将切割、研磨的warp进行分类退火,达到应力释放,并使得蓝宝石
一种蓝宝石晶片的清洗工艺.pdf
本发明公开了一种蓝宝石晶片的清洗工艺。该方法包括:先使用物理擦片配合超声方法去掉晶片表面大多数粘附性较强的油污和脏污,再用硫酸双氧水的混合溶液彻底清洗掉表面残留脏污,然后快排冲洗槽清洗,旋干或吹干。经本发明清洗的晶片表面洁净,无损伤,且实施效率极高。本发明可用于蓝宝石晶片GaN基LED芯片的外延层生长过程、PSS图形生长及管芯的前段制作过程的清洗。
半导体晶片切割工艺.pdf
本申请涉及一种半导体晶片切割工艺。该工艺包括用聚合物涂层涂布半导体晶片,将该晶片安置在胶带上且将该带安装在晶片框架上。该工艺进一步包括在该聚合物涂层内形成划割线以暴露晶片区,从而形成预处理产品。随后将该晶片框架安置在工艺腔室内的支撑物上,并且将框架盖安置在该晶片框架上方。该工艺进一步包括对该预处理产品进行等离子体蚀刻以去除该晶片的暴露区以分离该单个裸片。从该晶片框架上方去除该框架盖,并且将该经处理产品、晶片框架和胶带暴露于氧等离子体,以部分地去除该聚合物涂层的最外区,以在该单个裸片上留下残余聚合物涂层,从
半导体晶片切割工艺.pdf
本发明提供一种半导体晶片切割工艺,涉及晶片切割技术领域,切割工艺包括如下步骤:S1.对激光切割器的切割深度进行预调试;S2.以晶片具有蚀刻沟槽的一面为正面,将晶片正面或反面朝上放置于切割台上,对晶片的切割位置进行调整后将晶片定位;S3.使用激光器切割晶片该面;S4.翻转晶片,调整晶片的切割位置,并将晶片定位;S5.使用激光器切割晶片翻转面;S6.使用显微镜观测检验晶片的切割总深度为预留沟槽处厚度的3/1~3/2,即达到切割标准。本发明的工艺使晶片切割深度达到标准,并确保了切割均匀度,提高了裂片效果以及晶粒