用于FinFET的方法和结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105529357A(43)申请公布日2016.04.27(21)申请号201510559557.3(22)申请日2015.09.06(30)优先权数据62/065,1492014.10.17US14/799,0572015.07.14US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人张哲诚林志翰林志忠陈诗豪林木沧张永融(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409代理人章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L29/66(2006.01)H01L29/10(2006.01)H01L29/78(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图12页(54)发明名称用于FinFET的方法和结构(57)摘要本发明公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收衬底，衬底具有有源鳍、位于有源鳍上方的氧化物层、位于氧化物层上方的伪栅极堆叠件以及位于氧化物层上方和伪栅极堆叠件的侧壁上的间隔件部件。该方法还包括去除伪栅极堆叠件，从而产生第一沟槽；蚀刻第一沟槽中的氧化物层，从而产生位于间隔件部件下方的空腔；在第一沟槽和空腔中沉积介电材料；以及蚀刻第一沟槽以暴露出有源鳍，从而在空腔中留下介电材料的第一部分。本发明的实施例还涉及用于FinFET的方法和结构。CN105529357ACN105529357A权利要求书1/2页1.一种形成半导体器件的方法，包括：接收衬底，所述衬底具有有源鳍、位于所述有源鳍上方的氧化物层、位于所述氧化物层上方的伪栅极堆叠件以及位于所述氧化物层上方和所述伪栅极堆叠件的侧壁上的间隔件部件；去除所述伪栅极堆叠件，从而产生第一沟槽；蚀刻所述第一沟槽中的所述氧化物层，从而产生位于所述间隔件部件下方的空腔；在所述第一沟槽和所述空腔中沉积介电材料；以及蚀刻所述第一沟槽以暴露出所述有源鳍，从而在所述空腔中留下所述介电材料的第一部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述氧化物层暴露出所述有源鳍。3.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述氧化物层部分地去除所述氧化物层，从而在所述第一沟槽中的所述有源鳍上方留下所述氧化物层的部分。4.根据权利要求3所述的方法，其中，蚀刻所述第一沟槽包括第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺，调节所述第一蚀刻工艺以蚀刻所述介电材料，并且调节所述第二蚀刻工艺以蚀刻所述氧化物层的部分。5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述介电材料使用原子层沉积或化学汽相沉积。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电材料包括氮化硅。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述介电材料包括氧、碳、氢和它们的组合中的一种。8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底上方的隔离结构上方形成所述伪栅极堆叠件，还包括在形成栅极堆叠件之前：蚀刻所述第一沟槽中的所述隔离结构。9.一种形成半导体器件的方法，包括：接收衬底，所述衬底具有位于所述衬底上方的向上投射穿过隔离结构的有源鳍、位于所述有源鳍上方的氧化物层、位于所述隔离结构和所述氧化物层上方的伪栅极堆叠件以及位于所述隔离结构和所述氧化物层上方与所述伪栅极堆叠件的侧壁上的间隔件部件；去除所述伪栅极堆叠件，从而形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽暴露出所述氧化物层；部分地去除所述第一沟槽中的所述氧化物层，从而在所述间隔件部件下方产生空腔以及在所述有源鳍上方产生所述氧化物层的部分；在所述第一沟槽和所述空腔中沉积介电材料；蚀刻所述第一沟槽以暴露出所述有源鳍，从而在所述间隔件部件下方留下所述介电材料的第一部分；以及在所述第一沟槽中形成栅极堆叠件，所述栅极堆叠件接合所述有源鳍。10.一种半导体器件，包括：衬底，具有位于所述衬底上方的向上投射穿过隔离结构的有源鳍；栅极堆叠件，位于所述隔离结构上方并且接合所述有源鳍；氮化硅层，位于所述有源鳍上方并且邻近所述栅极堆叠件；以及2CN105529357A权利要求书2/2页间隔件部件，位于所述隔离结构上方、位于所述氮化硅层上方以及位于所述栅极堆叠件的侧壁上。3CN105529357A说明书1/9页用于FinFET的方法和结构[0001]本发明要求2014年10月17日提交的标题为“MethodandStructureforFinFET”的美国临时申请第62/065,149号的权益，其全部内容结合于此作为参考。技术领域[0002]本发明的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及用于FinFET的方法和结构。背景技术[0003]半导体集成电路(IC)工业已经经历了指数增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都比上一代具有更小和更复杂的电路。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制