用于FinFET器件的结构和方法.pdf

一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法包括在衬底上方形成第一鳍结构，在第一鳍结构上方形成介电层，在介电层内形成具有垂直轮廓的沟槽，在沟槽的侧壁和底部上方共形地沉积第一半导体材料层，在第一半导体材料层上方沉积第二半导体材料层以填充剩余的沟槽，使介电层凹进以横向暴露第一半导体材料层以及蚀刻暴露的第一半导体材料层以露出第二半导体材料层。本发明的实施例还涉及用于FinFET器件的结构。

2023-10-11

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用于FinFET的方法和结构.pdf

本发明公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收衬底，衬底具有有源鳍、位于有源鳍上方的氧化物层、位于氧化物层上方的伪栅极堆叠件以及位于氧化物层上方和伪栅极堆叠件的侧壁上的间隔件部件。该方法还包括去除伪栅极堆叠件，从而产生第一沟槽；蚀刻第一沟槽中的氧化物层，从而产生位于间隔件部件下方的空腔；在第一沟槽和空腔中沉积介电材料；以及蚀刻第一沟槽以暴露出有源鳍，从而在空腔中留下介电材料的第一部分。本发明的实施例还涉及用于FinFET的方法和结构。

2023-11-21

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FinFET器件的制造方法.pdf

一种FinFET器件的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干鳍部；在衬底以及鳍部上覆盖材料层；使材料层的一部分转换为框形的介质材料层；所述框形的介质材料层横跨所述鳍部；去除部分牺牲层，以露出框形的介质材料层以及框内区域的材料层；去除露出的材料层，以露出部分鳍部之间的部分衬底；在所述露出的分鳍部以及衬底上形成栅极，并使所述栅极横跨所述鳍部，此时所述框形的介质材料层作为所述栅极的侧墙；去除剩余的牺牲层；去除剩余的材料层。本发明的技术方案具有以下优点：能够在形成栅极的侧墙的同时，避免在FinFET器件的其他

2023-11-22

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具有沟道背面钝化层器件的FinFET和方法.pdf

具有背面钝化层的FinFET包括设置在衬底上的模板层、设置在模板层上方的缓冲层、设置在缓冲层上方的沟道背面钝化层以及设置在沟道背面钝化层上方的沟道层。栅极绝缘层设置在沟道层和沟道背面钝化层上方并且与沟道层和沟道背面钝化层接触。缓冲层可选地包含铝，以及沟道层可以可选地包含III-V族半导体化合物。STI可以设置在沟道背面钝化层的相对侧上，并且沟道背面钝化层可以具有在STI的顶面之上设置的顶面以及在STI的顶面之下设置的底面。本发明还提供了一种具有沟道背面钝化层器件的FinFET和方法。

2023-06-14

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体硅FinFET器件结构的研究及优化.docx

体硅FinFET器件结构的研究及优化标题：体硅FinFET器件结构的研究及优化摘要：随着电子器件的不断发展，新一代体硅FinFET结构作为先进半导体器件的代表已经引起了广泛的关注与研究。本论文主要对体硅FinFET器件结构进行了深入研究和优化，并探讨了其特点、优势以及面临的挑战。通过理论模型建立和仿真验证，本研究为进一步提高体硅FinFET器件性能和可靠性提供了重要的参考和指导。1.引言2.体硅FinFET的特点和优势2.1基本结构和制备流程2.2优势与应用领域3.体硅FinFET器件结构的研究3.1动态

2024-10-16

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