用于FinFET器件的结构和方法.pdf
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相关资料
用于FinFET器件的结构和方法.pdf
一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法包括在衬底上方形成第一鳍结构,在第一鳍结构上方形成介电层,在介电层内形成具有垂直轮廓的沟槽,在沟槽的侧壁和底部上方共形地沉积第一半导体材料层,在第一半导体材料层上方沉积第二半导体材料层以填充剩余的沟槽,使介电层凹进以横向暴露第一半导体材料层以及蚀刻暴露的第一半导体材料层以露出第二半导体材料层。本发明的实施例还涉及用于FinFET器件的结构。
用于FinFET的方法和结构.pdf
本发明公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收衬底,衬底具有有源鳍、位于有源鳍上方的氧化物层、位于氧化物层上方的伪栅极堆叠件以及位于氧化物层上方和伪栅极堆叠件的侧壁上的间隔件部件。该方法还包括去除伪栅极堆叠件,从而产生第一沟槽;蚀刻第一沟槽中的氧化物层,从而产生位于间隔件部件下方的空腔;在第一沟槽和空腔中沉积介电材料;以及蚀刻第一沟槽以暴露出有源鳍,从而在空腔中留下介电材料的第一部分。本发明的实施例还涉及用于FinFET的方法和结构。
FinFET器件的制造方法.pdf
一种FinFET器件的制造方法,包括:提供衬底;在衬底上形成若干鳍部;在衬底以及鳍部上覆盖材料层;使材料层的一部分转换为框形的介质材料层;所述框形的介质材料层横跨所述鳍部;去除部分牺牲层,以露出框形的介质材料层以及框内区域的材料层;去除露出的材料层,以露出部分鳍部之间的部分衬底;在所述露出的分鳍部以及衬底上形成栅极,并使所述栅极横跨所述鳍部,此时所述框形的介质材料层作为所述栅极的侧墙;去除剩余的牺牲层;去除剩余的材料层。本发明的技术方案具有以下优点:能够在形成栅极的侧墙的同时,避免在FinFET器件的其他
FinFET器件及其制作方法.pdf
一种FinFET器件及其制作方法,包括:提供衬底,在衬底上形成鳍部;在衬底以及鳍部上覆盖牺牲层;图形化牺牲层以形成空隙,空隙用于暴露出用作沟道区的部分鳍部;去除暴露出的鳍部的材料,使暴露出的鳍部的截面呈上小下大的形状;在空隙中填充介质层材料;去除部分介质层材料,保留空隙的侧壁上的部分介质层材料以形成侧墙;在空隙中的侧墙之间填充并形成栅极。本发明具有以下优点:使鳍部的侧壁倾斜以便于在覆盖介质材料层后去除位于鳍部侧壁的介质材料层,仅保留位于牺牲层的空隙侧壁的部分作为栅极的侧墙;用牺牲层遮挡住部分鳍部,而仅露出
FinFET器件及其形成方法.pdf
本公开涉及一种FinFET器件及其形成方法。一种方法,包括:形成在衬底上方突出的鳍;在鳍上方形成栅极结构;沿着栅极结构的侧壁形成栅极间隔件,其中,栅极结构的上表面通过栅极间隔件被暴露;在栅极结构、栅极间隔件、和鳍上方沉积栅极膜;在沉积栅极膜之后执行一个或多个刻蚀工艺,其中,一个或多个刻蚀工艺从鳍的上表面移除栅极膜的第一部分并且在鳍中形成凹槽,其中,在一个或多个刻蚀工艺之后栅极膜的第二部分保留在栅极间隔件的侧壁上;以及在凹槽中形成外延源极/漏极区域。