低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105655352A(43)申请公布日2016.06.08(21)申请号201610024267.3(22)申请日2016.01.14(71)申请人武汉华星光电技术有限公司地址430070湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋(72)发明人赵瑜(74)专利代理机构深圳市德力知识产权代理事务所44265代理人林才桂(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/027(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法(57)摘要本发明提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，该方法通过连续两次光阻灰化和去光阻处理将离子掺杂后残留的固化光阻完全去除干净，有效解决光阻层在第一次灰化处理之前某些区域可能覆盖有杂质颗粒而阻挡第一次灰化处理造成的固化光阻残留的问题，能够改善栅极绝缘层和层间绝缘层的界面清洁度，避免界面问题导致的产品良率下降。CN105655352ACN105655352A权利要求书1/1页1.一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成图案化的遮光层(11)，在所述遮光层(11)与衬底基板(10)上沉积覆盖绝缘缓冲层(12)；步骤2、在所述绝缘缓冲层(12)上形成对应于所述遮光层(11)的图案化的低温多晶硅层(20)；步骤3、在所述低温多晶硅层(20)与绝缘缓冲层(12)上涂布光阻材料，图案化所述光阻材料，形成光阻层(30)，暴露出至少部分低温多晶硅层(20)的两端区域；步骤4、以所述光阻层(30)为遮蔽层，对相应低温多晶硅层(20)的两端区域进行一种类型的离子掺杂，形成低温多晶硅半导体层(20’)；步骤5、进行第一次光阻灰化和去光阻处理；步骤6、进行第二次光阻灰化和去光阻处理，以完全去除光阻层(30)；步骤7、在所述低温多晶硅半导体层(20’)及绝缘缓冲层(12)上依次制作栅极绝缘层(31)、栅极(41)、层间绝缘层(32)、源/漏极(42)、平坦层(50)、底层电极(60)、保护层(70)、及顶层电极(80)。2.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤7在完成制作栅极(41)后，还包括在栅极(41)与栅极绝缘层(31)上涂布并图案化光阻材料，形成另一光阻层，以所述另一光阻层为遮蔽层，对未经步骤4进行离子掺杂的剩余的低温多晶硅层(20)的两端区域进行另一种类型的离子掺杂，形成低温多晶硅半导体层(20’)，及连续两次的光阻灰化和去光阻处理的过程，之后再制作所述层间绝缘层(32)。3.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中图案化的低温多晶硅层(20)的具体制作过程为：先在所述绝缘缓冲层(12)上沉积一层非晶硅，再对非晶硅进行晶化处理，制得低温多晶硅，然后通过光刻制程得到图案化的低温多晶硅层(20)。4.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中通过曝光、显影制程图案化所述光阻材料得到所述光阻层(30)。5.如权利要求2所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，步骤4中所述的一种类型的离子掺杂为掺杂磷离子的N型离子掺杂或掺杂硼离子的P型离子掺杂；步骤7中所述另一种类型的离子掺杂为不同于步骤4的P型离子掺杂或N型离子掺杂。6.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述源/漏极(42)分别通过贯穿层间绝缘层(32)和栅极绝缘层(31)的过孔与所述低温多晶硅半导体层(20’)的两端相接触。7.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述绝缘缓冲层(12)、栅极绝缘层(31)、层间绝缘层(32)、平坦层(50)、及保护层(70)的材料均为氧化硅、氮化硅中的一种或两种的复合。8.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述顶层电极(80)通过贯穿所述保护层(70)、底层电极(60)、及平坦层(50)的过孔(81)与所述漏极接触。9.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述顶层电极(80)和底层电极(60)的材料均为ITO。2CN105655352A说明书1/4页低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法。背景技术[0002]薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装