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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103293774A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103293774103293774A(43)申请公布日2013.09.11(21)申请号201210587768.4(22)申请日2012.12.28(71)申请人上海中航光电子有限公司地址201108上海市闵行区华宁路3388号(72)发明人张书勤(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人刘松(51)Int.Cl.G02F1/1339(2006.01)G02F1/1335(2006.01)G02F1/1333(2006.01)H01L27/02(2006.01)H01L21/77(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书8页说明书8页附图4页附图4页(54)发明名称TFT阵列基板、TFT液晶显示面板及制作方法(57)摘要本发明公开了一种TFT阵列基板、TFT液晶显示面板及制作方法,以解决现有液晶显示面板的周边盒厚不均匀的问题。本发明提供的TFT阵列基板,具有与所述绝缘层为一体结构、并以预设方式排布在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处、能够将所述TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干支撑物;且所述若干个支撑物具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面,兼具支撑和导电的功能,使得进行上下基板对盒时能够更精确的控制盒厚。CN103293774ACN1032974ACN103293774A权利要求书1/2页1.一种薄膜晶体管TFT阵列基板,包括形成在基板上的TFT,以及位于所述TFT之上的绝缘层,其特征在于,还包括:与所述绝缘层为一体结构、并以预设方式排布在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处、能够将所述TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干个支撑物;且所述若干个支撑物具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述支撑物具体包括:由树脂材料形成的支撑部;以及涂覆于所述支撑部表面的、厚度均匀的金属氧化物薄膜。3.如权利要求2所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述支撑部为通过掩膜工艺一体形成在所述绝缘层之上,并与所述绝缘层具有设定接触面积的规则形状或不规则形状。4.如权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述支撑部的形状为柱状。5.如权利要求2-4任一项所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述TFT阵列基板还包括:像素电极;电连接所述像素电极与TFT漏极、且靠近所述基板待涂布封框胶区域的过孔;以及位于所述过孔内、表面涂覆有厚度均匀的金属氧化物薄膜的若干个支撑部,且若干个所述支撑部具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面。6.如权利要求5所述的TFT阵列基板,其特征在于,位于过孔外的支撑部高度为遮光层和所述绝缘层之间的垂直距离,其中所述遮光层位于与所述TFT阵列基板相对设置的彩膜基板上;位于过孔内的支撑部高度为位于过孔外的支撑部高度与所述绝缘层厚度之和。7.如权利要求6所述的TFT阵列基板,其特征在于,位于过孔外的支撑部与位于过孔内的支撑部沿所述基板边缘延伸方向平行排列。8.一种液晶显示面板,其特征在于,包括:权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管TFT阵列基板;与所述TFT阵列基板相对设置的彩膜基板,所述彩膜基板面向所述TFT阵列基板的一面上形成有遮光层和色层,在所述遮光层对应于所述TFT阵列基板的支撑物的位置处形成有支撑物衬垫;以及设置于所述TFT阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。9.一种薄膜晶体管TFT阵列基板的制造方法,包括:在基板上形成TFT阵列以及绝缘层,其特征在于,该方法还包括:在所述绝缘层之上,形成与所述绝缘层为一体结构,并能够将TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干支撑物,其中,所述若干支撑物具有位于同一水平面用于支撑所述彩膜基板的上顶平面,并以预设方式排布在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处。10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在所述绝缘层之上,形成与所述绝缘层为一体结构,并能够将TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干支撑物,具体包括:在所述绝缘层上沉积树脂有机膜;2CN103293774A权利要求书2/2页对所述有机膜进行曝光、显影、刻蚀后,在所述基板待涂布封框胶区域对应位置处一体形成若干所述支撑物的支撑部;在所述支撑部表面沉积均匀厚度的金属氧化物薄膜。11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,在所述支撑部表面沉积均匀厚度的金属氧化物薄膜之前,该方法还包括:形成像素电极,以及电连接所述像素电极与TFT漏极的过孔;在靠近所述基板待涂布封框胶区域的所述过孔内,一体形成能够将所述TFT阵列基板和与其相对设置的彩膜基板电连接的若干