TFT阵列基板的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107104077A(43)申请公布日2017.08.29(21)申请号201710245925.6(22)申请日2017.04.14(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人王勐(74)专利代理机构深圳市德力知识产权代理事务所44265代理人林才桂(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图6页(54)发明名称TFT阵列基板的制作方法(57)摘要本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，以半色调掩膜板(3)为工具进行曝光，使得第二金属层(M2)中放电TFT(T3)的漏极(D3)及其爬坡处的上方保留薄层的光阻(PR)，在后续的干法蚀刻过程中被保留的薄层的光阻(PR)对位于所述放电TFT(T3)的漏极(D3)的爬坡处以下的栅极绝缘层(GI)进行保护，避免栅极绝缘层(GI)在放电TFT(T3)的漏极(D3)的爬坡处因材质差异发生过蚀刻及底切问题，降低导电薄膜(9)破膜的风险，使得放电TFT(T3)的漏极(D3)与公共电压线(Com)之间的桥接可靠，且不会损失开口率，从而改善面板的显示效果，提高产品良率。CN107104077ACN107104077A权利要求书1/2页1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以半色调掩膜板(3)为工具进行曝光的步骤，使得第二金属层(M2)中放电TFT(T3)的漏极(D3)及其爬坡处的上方保留薄层的光阻(PR)，在后续的干法蚀刻过程中对位于所述放电TFT(T3)的漏极(D3)的爬坡处以下的栅极绝缘层(GI)进行保护。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1、在基板(1)上自下至上依次形成第一金属层(M1)、栅极绝缘层(GI)、半导体有源层(2)、第二金属层(M2)、及保护层(PV)，在所述保护层(PV)上涂布光阻(PR)；所述栅极绝缘层(GI)覆盖所述第一金属层(M1)，所述第一金属层(M1)包括栅极线(G)、及公共电压线(Com)；所述保护层(PV)覆盖所述第二金属层(M2)，所述第二金属层(M2)包括数据线(D)、第一源极(S1)、第一漏极(D1)、第二源极(S2)、第二漏极(D2)、第三源极(S3)、及第三漏极(D3)；所述栅极线(G)、半导体有源层(2)、第一源极(S1)、及第一漏极(D1)构成第一充电TFT(T1)，所述栅极线(G)、半导体有源层(2)、第二源极(S2)、及第二漏极(D2)构成第二充电TFT(T2)，所述栅极线(G)、半导体有源层(2)、第三源极(S3)、及第三漏极(D3)构成放电TFT(T3)；步骤S2、提供半色调掩膜板(3)；所述半色调掩膜板(3)包括间隔设置的第一遮光部(31)与第二遮光部(32)、连接所述第二遮光部(32)靠近第一遮光部(31)一侧的半透光部(33)、及设在所述第一遮光部(31)与半透光部(33)之间的完全透光部(34)；所述半透光部(33)对应位于第二金属层(M2)中放电TFT(T3)的漏极(D3)及其爬坡处的上方，所述完全透光部(34)对应位于所述第一金属层(M1)中公共电压线(Com)靠近所述放电TFT(T3)的漏极且未被放电TFT(T3)的漏极(D3)所遮盖的部分的上方；步骤S3、以所述半色调掩膜板(3)为工具对光阻(PR)进行曝光，所述完全透光部(34)使得位于该完全透光部(34)之下的光阻(PR)被全部清除，而半透光部(33)使得第二金属层(M2)中放电TFT(T3)的漏极(D3)及其爬坡处的上方保留薄层的光阻(PR)；步骤S4、以曝光后剩余的光阻(PR)为遮蔽层进行干法蚀刻，得到由保护层(PV)贯穿至栅极绝缘层(GI)的过孔(V)。3.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括步骤S5、在所述过孔(V)上沉积导电薄膜(9)，所述导电薄膜(9)桥接所述第二金属层(M2)中放电TFT(T3)的漏极(D3)与第一金属层(M1)中的公共电压线(Com)。4.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层(M1)的材料为铜、铝、钼中的一种或几种的堆栈组合。5.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(GI)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。6.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金属层(M2)的材料为铜、铝、钼中的一种或几种的堆栈组合。7.如权利要求2所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护层(PV)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。8.如权利要求3所述的TF