阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110164873A(43)申请公布日2019.08.23(21)申请号201910464234.4(22)申请日2019.05.30(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人合肥鑫晟光电科技有限公司(72)发明人刘军方金钢闫梁臣周斌黄勇潮苏同上刘宁(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人郭润湘(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L27/32(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置(57)摘要本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，对形成在平坦化层上的光刻胶层进行图案化处理，使薄膜晶体管漏极上方的部分第一通孔内没有光刻胶层、第一通孔的其它部分保留部分光刻胶层、色阻层上方的光刻胶层完全保留；在后续对钝化层进行干刻处理时，由于第一通孔的其它部分仅保留部分光刻胶层，相对现有技术中第一通孔的其它部分完全保留的光刻胶层较薄，本发明有利于在干刻钝化层时形成较好的干刻角度；另外本发明色阻层上方的光刻胶层厚度相对现有技术中色阻层上方的光刻胶层厚度较厚，在对钝化层进行干刻时，可以防止对色阻上方的平坦化层产生干刻损伤，避免使得后续有机发光层蒸镀异常以及有机膜透过率降低的可能。CN110164873ACN110164873A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次形成薄膜晶体管、钝化层、色阻层和平坦化层；其中，所述薄膜晶体管和所述色阻层在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述平坦化层在所述薄膜晶体管的上方具有第一通孔；在具有所述第一通孔的平坦化层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化处理，形成光刻胶图案；所述光刻胶图案包括完全去除区域、第一部分保留区域和完全保留区域；其中，所述完全去除区域在所述第一通孔范围内且位于所述漏极上方，所述第一部分保留区域被所述第一通孔覆盖，所述光刻胶完全保留区域覆盖所述色阻层所在区域；以所述光刻胶图案作为遮挡，对露出的所述钝化层进行干法刻蚀处理，所述钝化层在所述完全去除区域对应的位置形成第二通孔；剥离所述光刻胶图案；在所述平坦化层上形成阳极，所述阳极通过所述第二通孔与所述漏极电连接。2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光刻胶图案还包括第二部分保留区域，所述第二部分保留区域与所述薄膜晶体管以及所述色阻层在所述衬底基板上的正投影均不重叠，且所述第二部分保留区域的光刻胶厚度大于所述第一部分保留区域的光刻胶厚度。3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行图案化处理，具体包括：采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行图案化处理；所述半色调掩膜板包括：与所述完全去除区域对应的完全透光区域，与所述第一部分保留区域对应的第一部分透光区域，与所述第二部分保留区域对应的第二部分透光区域，与所述完全保留区域对应的不透光区域；所述第一部分透光区域的透光量为所述完全透光区域的透光量的50％，所述第二部分透光区域的透光量为所述完全透光区域的透光量的10％～20％。4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一部分保留区域的光刻胶图案的厚度为1.5μm-1.8μm，所述完全保留区域的光刻胶图案的厚度为2.1μm，所述第二部分保留区域的光刻胶图案的厚度为1.7μm-1.9μm。5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对露出的所述钝化层进行干法刻蚀处理，具体包括：采用O2和CF4的组合气体对所述钝化层进行干法刻蚀处理，所述O2和所述CF4的比例是变化的。6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用至少两次干法刻蚀对所述钝化层进行干法刻蚀处理，其中每一次干法刻蚀中的O2和CF4的比例固定，相邻两次干法刻蚀中的O2和CF4的比例是变化的。7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用两次干法刻蚀对所述钝化层进行干法刻蚀处理，其中第一次干法刻蚀中O2的比例大于第二次干法刻蚀中O2的比例。8.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一次干法刻蚀中O2的含量为55％～65％，CF4的含量为35％～45％；所述第二次干法刻蚀中O2的含量为15％～35％，CF4的含量为65％～85％。9.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用一次干法刻蚀对所述钝2CN110164873A权利要求书2/2页化层进行干法刻蚀处理，在处理的过程中，所述O2的比例逐渐降低。10.一种阵列基板，其特征在于