图案化导电结构的制造方法及图案化导电结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105742796A(43)申请公布日2016.07.06(21)申请号201510495950.0(22)申请日2015.08.13(30)优先权数据14/583,4462014.12.26US(71)申请人启碁科技股份有限公司地址中国台湾新竹科学园区园区二路20号(72)发明人罗昱凯卢勇竣邱明吉许建民陈世宏(74)专利代理机构北京嘉和天工知识产权代理事务所(普通合伙)11269代理人严慎(51)Int.Cl.H01Q1/38(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称图案化导电结构的制造方法及图案化导电结构(57)摘要一种图案化导电结构的制造方法及图案化导电结构。该图案化导电结构的制造方法包括：在一基底的一表面上形成一可溶性层，其中该可溶性层具有一开口，该开口露出该基底的该表面的一粗糙部分；在该可溶性层上形成一第一导电层，其中该第一导电层延伸至该开口内的该粗糙部分上；以及去除该可溶性层及该可溶性层上的该第一导电层，其中该第一导电层对应于该粗糙部分的一部分保留于该基底上。本发明没有使用含有无电镀处理的活性催化剂的特殊基底，而能够使用具有较佳机械特性及较低价格的一般基底，且图案化导电结构具有更好的质量。CN105742796ACN105742796A权利要求书1/2页1.一种图案化导电结构的制造方法，该图案化导电结构的制造方法包括：在一基底的一表面上形成一可溶性层，其中该可溶性层具有一开口，该开口露出该基底的该表面的一粗糙部分；在该可溶性层上形成一第一导电层，其中该第一导电层延伸至该开口内的该粗糙部分上；以及去除该可溶性层及该可溶性层上的该第一导电层，其中该第一导电层对应于该粗糙部分的一部分保留于该基底上。2.如权利要求1所述的图案化导电结构的制造方法，其中去除该可溶性层及该可溶性层上的该第一导电层的步骤包括使用一溶剂进行清洗工艺。3.如权利要求2所述的图案化导电结构的制造方法，其中该溶剂选自由水、乙醇、甲醇、异丙醇、二甲基甲酰胺、三氯甲烷或其组合所组成的组。4.如权利要求1所述的图案化导电结构的制造方法，其中该可溶性层溶解于一非腐蚀性溶剂而加以去除。5.如权利要求1所述的图案化导电结构的制造方法，其中该可溶性层包括聚乙烯醇、聚乙二醇、聚乙二醇-聚丙二醇共聚物、线性聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮的同聚物或共聚物、聚丙烯酸或其组合。6.如权利要求1所述的图案化导电结构的制造方法，其中该基底包括聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚碳酸酯及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯的合金、或尼龙。7.如权利要求1所述的图案化导电结构的制造方法，其中形成该可溶性层的步骤包括：在该基底上涂布该可溶性层；以及通过激光处理形成该可溶性层的该开口及该表面的该粗糙部分。8.如权利要求1所述的图案化导电结构的制造方法，其中在该可溶性层上形成该第一导电层的步骤包括进行物理气相沉积工艺、溅镀工艺、离子镀工艺或真空蒸镀工艺。9.如权利要求1所述的图案化导电结构的制造方法，其中在去除该可溶性层之后露出该基底的该表面的一平滑部分。10.如权利要求1所述的图案化导电结构的制造方法，其中该第一导电层包括一下层及一上层，且其中该下层包括镍、钯或银，且该上层包括铜。11.如权利要求1所述的图案化导电结构的制造方法，还包括在对应于该粗糙部分的该第一导电层上直接形成一第二导电层。12.如权利要求11所述的图案化导电结构的制造方法，其中通过无电镀工艺形成该第二导电层。13.如权利要求11所述的图案化导电结构的制造方法，还包括在形成该第二导电层之后，通过蚀刻工艺去除该粗糙部分之外的该表面上的残留物。14.如权利要求1所述的图案化导电结构的制造方法，其中该图案化导电结构构成一天线组件。15.一种图案化导电结构，该图案化导电结构包括：一基底，其中该基底的一表面具有一粗糙部分及一平滑部分；一第一导电层，该第一导电层设置于该基底上，且对应于该粗糙部分，其中该第一导电2CN105742796A权利要求书2/2页层为一物理气相沉积层，且该平滑部分为裸露的；以及一第二导电层，该第二导电层直接设置于该第一导电层上，且对应于该粗糙部分。16.如权利要求15所述的图案化导电结构，其中该基底包括聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚碳酸酯及丙烯腈-丁二烯-苯乙烯的合金、或尼龙。17.如权利要求15所述的图案化导电结构，其中该第一导电层包括一下层及一上层，且其中该下层包括镍、钯或银，且该上层包括铜。18.如权利要求15所述的图案化导电结构，还包括直接沉积于该第一导电层上且对应于该粗糙部分的一第二导电层。19.如权利要求15所述的图案化导电结构，其中该图案化导电结构为一天线组件。3CN105742796A说明书1/5页图案化