带导电性图案的结构体的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115989341A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202180052507.X(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限(22)申请日2021.10.06公司11127专利代理师李洋褚瑶杨(30)优先权数据2020-1766952020.10.21JP(51)Int.Cl.C23C18/40(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.02.24(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2021/0370562021.10.06(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/085461JA2022.04.28(71)申请人旭化成株式会社地址日本东京都(72)发明人小园智子汤本徹权利要求书2页说明书25页附图2页(54)发明名称带导电性图案的结构体的制造方法(57)摘要本发明提供一种带导电性图案的结构体的制造方法，其制造工序简便，并且能够形成层间密合性良好的带导电性图案的结构体。本发明的一个方式提供一种带导电性图案的结构体的制造方法，其包括：将包含含有氧化铜的颗粒的分散体印刷至基材而得到涂布膜的涂布膜形成工序、以及使用镀覆液对上述涂布膜进行无电解镀覆的镀覆工序，上述镀覆液包含EDTA(乙二胺四乙酸)。CN115989341ACN115989341A权利要求书1/2页1.一种带导电性图案的结构体的制造方法，其包括下述工序：涂布膜形成工序，将包含含有氧化铜的颗粒的分散体印刷至基材，得到涂布膜；以及镀覆工序，使用镀覆液对所述涂布膜进行无电解镀覆，所述镀覆液包含EDTA即乙二胺四乙酸。2.如权利要求1所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，在所述镀覆工序之前进一步包括还原工序。3.如权利要求2所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述还原工序为湿式还原工序。4.如权利要求2或3所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述还原工序包括将所述涂布膜浸渍在包含下式所表示的甘氨酸化合物的溶液中的步骤，12(R)2N‑C‑COOR式中，R1和R2各自独立地为氢或1价基团，式中的复数个R1相互相同或不同。5.如权利要求4所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述甘氨酸化合物为N,N‑二(2‑羟基乙基)甘氨酸。6.如权利要求4或5所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述溶液为水溶液，所述甘氨酸化合物的浓度为1质量％以上、50质量％以下。7.如权利要求1～6中任一项所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，在所述镀覆工序之前进一步包括脱脂工序。8.如权利要求1～7中任一项所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述涂布膜形成工序通过喷墨印刷进行。9.如权利要求1～8中任一项所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，在所述涂布膜形成工序与所述镀覆工序之间进一步包括对所述涂布膜进行干燥的干燥工序。10.如权利要求1～9中任一项所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述分散体包含含有磷酸酯的分散剂。11.如权利要求10所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述分散剂的酸值(mgKOH/g)为20以上、130以下。12.如权利要求1～11中任一项所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述分散体含有还原剂，所述还原剂为肼。13.如权利要求1～12中任一项所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述分散体包含选自由1‑己醇、1‑庚醇以及1‑辛醇组成的组中的1种以上的分散介质。14.如权利要求1～13中任一项所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述含有氧化铜的颗粒的平均粒径为1nm以上100nm以下。15.如权利要求1～14中任一项所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述镀覆液包含铜离子源和还原剂。16.如权利要求15所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述铜离子源为选自由CuSO4、CuCl2、CuCl、CuNO3和Cu3(PO4)2组成的组中的1种以上。17.如权利要求15或16所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，所述还原剂为选自由甲醛、四氢硼酸钾、二甲胺硼烷、乙醛酸和次膦酸组成的组中的1种以上。18.如权利要求1～17中任一项所述的带导电性图案的结构体的制造方法，其中，2CN115989341A权利要求书2/2页所述基材具有密合层，在所述涂布膜形成工序中，将所述分散体印刷至所述密合层。19.一种导电性图案结构体制造套件，其包含选自由下述成分组成的组中的至少两者：包含含有氧化铜的颗粒的分散体；包含EDTA即乙二胺四乙酸的镀覆液；以及包含下式所表示的甘氨酸化合物的还原液，12(R)2N‑C‑COOR式中，R1和R2各自独立地为氢或1价基团，式中的复数个R1相互相同或不同