图案化的导电薄膜、其制造方法及触控面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104376898A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.02.25(21)申请号201310373207.9(22)申请日2013.08.23(30)优先权数据1021295492013.08.16TW(71)申请人财团法人工业技术研究院地址中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号(72)发明人张郁培杨明桓邱俊毅(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人祁建国鲍俊萍(51)Int.Cl.H01B5/14(2006.01)H01B13/00(2006.01)G06F3/041(2006.01)权利要求书3页说明书14页附图14页(54)发明名称图案化的导电薄膜、其制造方法及触控面板(57)摘要本发明公开一种图案化的导电薄膜，包括导电的互连纳米结构薄膜层。导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的第一区与第二区，其中第一区的导电度是第二区的导电度的至少1000倍以上。本揭露实施例的图案化的导电薄膜不会留下目视可见的蚀刻痕，提升光学质量。可以利用导电性调节处理使导电薄膜图案化，因此可以减少光掩膜的使用，减少成本的支出。可以减少使用化学品，降低环境的污染。CN104376898ACN104376898A权利要求书1/3页1.一种图案化的导电薄膜，其特征在于，包括：一导电的互连纳米结构薄膜层，所述导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的一第一区与一第二区，其中所述第一区具有交错互迭的纳米结构且所述第二区具有局部非连续的互连纳米结构，所述第一区的导电度是所述第二区的导电度的至少1000倍；以及一图案化的调节层，配置于所述第一区与所述第二区两者其一。2.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层包括纳米导线、纳米棒、纳米管、纳米蜂巢状结构、纳米颗粒或其组合。3.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括金属、高分子、陶瓷，或上述两种以上的组合。4.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括金属材料，且所述金属材料包括金、银、铜、铁、锡、镍、铝、钛、铂、钨、锌或钴，或其多元合金。5.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括高分子材料，且所述高分子材料包括聚乙炔类导电高分子材料、聚噻吩类导电高分子材料、聚吡咯类导电高分子材料、聚苯胺类导电高分子材料或聚芳香烃乙烯类导电高分子材料。6.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层的材料包括陶瓷材料，且所述陶瓷材料包括氧化锌、氧化铟、氧化锡、氮化钛、氧化铟锡、氧化锌铝、氧化铟锌、氧化锌镓或氧化铟锌镓、或前述材料的多元金属氧化物，或前述材料的多元金属氮化物。7.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述图案化的调节层包括热传导系数小于1W/m·K的材料或隔热性高于玻璃的材料且配置于所述第一区，或者热传导系数大于1W/m·K的材料或隔热性低于玻璃的材料且配置于所述第二区。8.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述图案化的调节层包括压克力系材料、环氧树脂系材料、聚氨酯系材料、聚烯醇系材料、聚酯系材料、聚乙烯系材料，或者是上述两者以上的混合材料，亦或者是无机材料，所述无机材料包括氧化铝、氧化硅、氮化硅或其混合物。9.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述图案化的调节层包括光穿透率低于50%的材料且配置于所述第一区，或者能增强红外光波长的材料且配置于所述第二区。10.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，还包括：平坦层或保护层，覆盖所述图案化的调节层与所述导电的互连纳米结构薄膜层；以及另一导电的互连纳米结构薄膜层，配置于所述平坦层或所述保护层上，且所述另一导电的互连纳米结构薄膜层具有互相邻接的第三区与第四区，所述第三区的导电度是所述第四区的导电度的至少1000倍。11.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述导电的互连纳米结构薄膜层位于第一基板与所述图案化的调节层之间。12.根据权利要求1所述的图案化的导电薄膜，其特征在于，所述图案化的调节层位于所述导电的互连纳米结构薄膜层与一第一基板之间。2CN104376898A权利要求书2/3页13.一种图案化的导电薄膜的制造方法，其特征在于，包括:提供导电的互连纳米结构薄膜层，所述导电的互连纳米结构薄膜层包括互相邻接的第一区与第二区；于所述导电的互连纳米结构薄膜层的所述第一区或所述第二区配置一图案化的调节层；以及提供能量源，对所述导电的互连纳米结构薄膜层与所述图案化的调节