一种半导体器件及其制备方法、电子装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106971974A(43)申请公布日2017.07.21(21)申请号201610024132.7H01L23/48(2006.01)(22)申请日2016.01.14(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限公司(72)发明人周静胡平(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336代理人董巍高伟(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L21/321(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称一种半导体器件及其制备方法、电子装置(57)摘要本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有接触孔；形成填充所述接触孔的导电材料；执行氧化步骤，以氧化在形成所述导电材料的过程中所述介电层表面残留的导电材料颗粒和/或副产物，形成容易去除的氧化物，其中，所述氧化步骤选用氧化剂和催化剂对所述介电层表面残留的导电材料颗粒和/或副产物进行氧化，同时添加抑制剂，以防止所述接触孔开口中的所述导电材料的氧化；对形成的所述容易去除的氧化物进行平坦化并清洗，以去除所述容易去除的氧化物。通过所述改进进一步提高了所述半导体器件的良率和性能，而且所述方法简单易行，应用范围广。CN106971974ACN106971974A权利要求书1/1页1.一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有接触孔；形成填充所述接触孔的导电材料；执行氧化步骤，以氧化在形成所述导电材料的过程中所述介电层表面残留的导电材料颗粒和/或副产物，形成容易去除的氧化物，其中，所述氧化步骤选用氧化剂和催化剂对所述介电层表面残留的导电材料颗粒和/或副产物进行氧化，同时添加抑制剂，以防止所述接触孔开口中的所述导电材料的氧化；对形成的所述容易去除的氧化物进行平坦化并清洗，以去除所述容易去除的氧化物。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成填充所述接触孔的导电材料的同时在所述介电层的表面上也形成有所述导电材料，并对所述导电材料进行平坦化，以去除所述介电层的表面上的所述导电材料。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述介电层和所述导电材料之间还形成有粘结胶层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述导电材料平坦化之后，所述方法还进一步包括对所述粘结胶层进行平坦化的步骤。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：对所述介电层进行平坦化，以得到平滑的表面。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层为高深宽比工艺氧化物，所述导电材料选用金属钨。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述氧化物进行低压平坦化和高压清洗，以去除所述氧化物。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用去离子水进行所述清洗。9.一种基于权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。10.一种电子装置，包括权利要求9所述的半导体器件。2CN106971974A说明书1/6页一种半导体器件及其制备方法、电子装置技术领域[0001]本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。背景技术[0002]随着集成电路技术的持续发展，芯片上将集成更多器件，芯片也将具有更快的速度。在这些要求的推进下，器件的几何尺寸将不断缩小，在芯片的制造工艺中不断采用新材料、新技术和新的制造工艺。目前半导体器件的制备工艺逐渐成熟。[0003]在半导体器件制备过程中通常需要使用接触孔104进行电连接，在接触孔的制备过程中，如图2所示，通常先蚀刻衬底101上的介电层102、粘结胶层103以形成接触孔开口，然后在所述接触孔开口中填充导电材料并进行平坦化，以形成接触孔104；在平坦化的过程中通常是首先平坦化所述导电材料，例如W，然后在平坦化所述粘结胶层103，最后至所述介电层102以形成接触孔，如图1a-1b所示。[0004]目前所述方法会引起内联缺陷，特别是当所述介电层由PEOX变为高深宽比工艺(highaspectratioprocess，HARP)氧化物以后，所述内联缺陷变的更加严重，由于所述HARP氧化物没有进行退火，其更加柔软，因此在HARP氧化物表面形成大量细微划痕，成为影响器件良率的主要因素，使器件良率大大降低。[0005]其中，在导电材料材料的表面会形成一些副产物以及在表面形成一些W微粒的痕迹，引起所述HARP氧化物表面形成大量细微划痕。[0006]随着半导体器件尺寸的不断缩小，半导体器件的稳定性成为影响器件性能的重要因素，目