阻挡介质层的刻蚀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105914145A(43)申请公布日2016.08.31(21)申请号201610250432.7(22)申请日2016.04.21(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江开发区高斯路568号(72)发明人昂开渠曾林华任昱吕煜坤朱骏张旭升(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人智云(51)Int.Cl.H01L21/311(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称阻挡介质层的刻蚀方法(57)摘要本发明提供一种阻挡介质层的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有金属层、阻挡介质层、氧化介质层和光刻胶层，所述光刻胶层内形成有光刻胶开口；对所述光刻胶开口的形貌进行调整，形成具有倾斜角度的光刻胶开口；沿所述具有倾斜角度的光刻胶开口对下方的氧化介质层进行刻蚀工艺，在氧化介质层内形成氧化介质层开口；去除氧化介质层上方残留的光刻胶层；以所述氧化介质层为掩膜，沿所述氧化介质层开口对阻挡介质层进行刻蚀工艺，在阻挡介质层内形成阻挡介质层开口，露出下方的金属层，所述阻挡介质层开口具有倾斜角度。本发明的阻挡介质层的刻蚀方法，使得阻挡介质层的倾斜角度的调整范围增大。CN105914145ACN105914145A权利要求书1/1页1.一种阻挡介质层的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有金属层、阻挡介质层、氧化介质层和光刻胶层，所述光刻胶层内形成有光刻胶开口，所述光刻胶开口露出下方的氧化介质层；对所述光刻胶开口的形貌进行调整，形成具有倾斜角度的光刻胶开口；沿所述具有倾斜角度的光刻胶开口对下方的氧化介质层进行刻蚀工艺，在氧化介质层内形成氧化介质层开口，所述氧化介质层开口露出下方的阻挡介质层，所述氧化介质层开口具有倾斜角度；去除氧化介质层上方残留的光刻胶层；以所述氧化介质层为掩膜，沿所述氧化介质层开口对阻挡介质层进行刻蚀工艺，在阻挡介质层内形成阻挡介质层开口，露出下方的金属层，所述阻挡介质层开口具有倾斜角度。2.如权利要求1所述的阻挡介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述阻挡介质层开口的角度范围为75-82度。3.如权利要求1所述的阻挡介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述光刻胶开口的倾斜角度范围为75-82度，所述氧化介质层开口的倾斜角度范围为75-82度。4.如权利要求1所述的阻挡介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述金属层的材质为铜，厚度范围为3000-7000埃。5.如权利要求1所述的阻挡介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述阻挡介质层的材质为氮化硅或氮碳化硅。6.如权利要求1所述的阻挡介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述光刻胶形貌调整采用干法刻蚀工艺进行，所述干法刻蚀工艺采用氧气和氮气的混合气体进行。7.如权利要求6所述的阻挡介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述氧气和氮气的流量比为3：1，所述氧气和氮气的流量之和为600-1000sccm。8.如权利要求6所述的阻挡介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺时的反应腔体压力为60-120Mt。9.如权利要求1所述的阻挡介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度范围为8000-20000埃。10.如权利要求1所述的阻挡介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述氧化介质层的材质为氧化硅，厚度范围为3000-7000埃。2CN105914145A说明书1/3页阻挡介质层的刻蚀方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种阻挡介质层的刻蚀方法。背景技术[0002]现有技术的阻挡介质层的刻蚀方法请参考图1至图4所示。如图1，半导体衬底1上依次形成有金属层2、阻挡介质层3、氧化介质层4和光刻胶层5。所述光刻胶层5内形成有光刻胶开口，所述光刻胶开口露出下方的氧化介质层4。参考图2，以所述光刻胶层5为掩膜，沿所述光刻胶开口对氧化介质层4进行刻蚀工艺，在氧化介质层4内形成氧化介质层开口，所述氧化介质层开口露出下方的阻挡介质层3。在进行氧化介质层4刻蚀过程中，光刻胶层5被消耗一部分。[0003]参考图3，去除氧化介质层4上方残留的光刻胶层5。参考图4，以所述氧化介质层4为掩膜，沿氧化介质层开口对下方的阻挡介质层3进行刻蚀工艺，所述刻蚀工艺利用含有C4F8和O2的气体进行。通过调节C4F8和O2的比例，可以调整刻蚀工艺后形成的阻挡介质层的倾斜角度在84-88摄氏度。[0004]在实际中，发现通过调节C4F8和O2的比例对阻挡介质层的倾斜角度调整幅度有限，当需要对阻挡介质层的倾斜角度进一步调整时，无法实现。发明内容[0005]本发明解决的技术问题是提供了一种阻挡介质层的刻蚀方法，使得阻挡介质层的倾斜角度的调整