层间介质层的刻蚀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110071110A(43)申请公布日2019.07.30(21)申请号201910399028.X(22)申请日2019.05.14(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人戴鸿冉(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅(51)Int.Cl.H01L27/11521(2017.01)H01L21/28(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称层间介质层的刻蚀方法(57)摘要本发明公开了一种层间介质层的刻蚀方法，包括：在半导体衬底上依次形成有浮栅介质层、浮栅多晶硅层和层间介质层；在层间介质层上形成图案化的光刻胶层，以光刻胶层为掩模，对层间介质层进行第一次刻蚀，在层间介质层内形成具有第一深度的第一沟槽，所述第一沟槽沿其深度方向的截面从远离浮栅多晶硅层处到所述浮栅多晶硅层处收缩；以图案化的光刻胶层为掩模，对层间介质层进行第二次刻蚀，使第一沟槽形成具有第二深度的第二沟槽，第二沟槽沿其深度方向的截面从远离浮栅多晶硅层处到靠近浮栅多晶硅层处收缩；此时，第二沟槽内部沉积有聚合物，第二沟槽底部残留有部分层间介质层；去除聚合物。本发明能够在层间介质层中形成具有预定形貌的沟槽。CN110071110ACN110071110A权利要求书1/1页1.一种层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底上依次形成有浮栅介质层、浮栅多晶硅层和层间介质层；在所述层间介质层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层形成有第一开口，以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述层间介质层进行第一次刻蚀，在所述层间介质层内形成具有第一深度的第一沟槽，所述第一沟槽沿其深度方向的截面从远离所述浮栅多晶硅层处到靠近所述浮栅多晶硅层处收缩；以及以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述层间介质层进行第二次刻蚀，以使所述第一沟槽形成具有第二深度的第二沟槽，所述第二沟槽沿其深度方向的截面从远离所述浮栅多晶硅层处到靠近所述浮栅多晶硅层处收缩；此时，所述第二沟槽内部沉积有聚合物，所述第二沟槽底部残留有部分所述层间介质层；去除所述聚合物。2.如权利要求1所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，还包括：以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述层间介质层进行第三次刻蚀，以使所述第二沟槽的底部形成在部分深度的所述浮栅多晶硅层中；去除所述图案化的光刻胶层。3.如权利要求1所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述第一深度小于第二深度。4.如权利要求3所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述第一深度等于四分之三倍的第二深度。5.如权利要求4所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述第一次刻蚀为干法刻蚀，所述刻蚀气体选自Ar、CF4、CHF3和O2中的一种或多种。6.如权利要求5所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀工艺参数包括：压力范围为：50mTorr～100mTorr，电压功率范围为500W～1kW，磁场为0G，CF4的气体流量范围为30sccm～40sccm，CHF3的气体流量范围为15sccm～30sccm，Ar气体流量范围为80sccm～100sccm，O2气体流量范围为2sccm～5sccm，以及刻蚀时间范围为60s～80s。7.如权利要求1或6所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述第二次刻蚀为干法刻蚀，所述刻蚀气体选自：Ar、CF4、CHF3和O2中的一种或多种。8.如权利要求7所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述第二次刻蚀工艺参数包括：压力范围为50mTorr～100mTorr，电压范围为500W～1kW，磁场为0G，CF4的气体流量范围为40sccm～50sccm，CHF3的气体流量范围为8sccm～20sccm，Ar的气体流量范围为80sccm～100sccm，O2的气体流量范围为2sccm～5sccm，以及刻蚀时间范围为10s～20s。9.如权利要求8所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述第二沟槽沿其深度方向呈倒梯形。10.如权利要求9所述的层间介质层的刻蚀方法，其特征在于，所述第二沟槽的槽底与其侧壁之间的夹角为95°～100°。2CN110071110A说明书1/7页层间介质层的刻蚀方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种层间介质层的刻蚀方法。背景技术[0002]闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中。闪存