一种掩模版上残胶的去除方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105988308A(43)申请公布日2016.10.05(21)申请号201510094999.5(22)申请日2015.03.03(71)申请人上海凸版光掩模有限公司地址200233上海市徐汇区宜山路800号(72)发明人马志平成立炯平志纲(74)专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人余明伟(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种掩模版上残胶的去除方法(57)摘要本发明提供一种掩模版上残胶的去除方法，所述去除方法包括步骤：1）通过加热使膜框和掩模版之间的胶体软化，然后将膜框拉离掩摸版直至完全分离，以使大部分的胶体随所述膜框脱离掩模版，仅有少部分的胶残留在掩模版上；2）提供一黏性胶球，将所述黏性胶球触碰掩模版上的残胶，使所述黏性胶球与残胶黏合后提拉所述黏性胶球，以将残胶从掩模版上剥离。本发明采用黏性胶球去除残胶，由于球形形状，所以黏性胶球在和残胶的接触过程中，可以非常容易的控制胶球和掩模版的接触面积。由于黏性胶球的构成材料和膜框上胶体的材质相同，质地非常的软，所以在接触掩模版的过程中，几乎不会对掩模版造成伤害，并且能有效地去除残胶。CN105988308ACN105988308A权利要求书1/1页1.一种掩模版上残胶的去除方法，其特征在于，所述去除方法包括步骤：1)通过加热使膜框和掩模版之间的胶体软化，然后将膜框拉离掩摸版直至完全分离，以使大部分的胶体随所述膜框脱离掩模版，仅有少部分的胶残留在掩模版上；2)提供一黏性胶球，将所述黏性胶球触碰掩模版上的残胶，使所述黏性胶球与残胶黏合后提拉所述黏性胶球，以将残胶从掩模版上剥离。2.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于：所述胶体的材料为含氟聚合物。3.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于：步骤1)加热的温度范围为80～100℃。4.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于：所述黏性胶球的材料与所述胶体的材料相同。5.根据权利要求4所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于：所述黏性胶球的材料为含氟聚合物。6.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于：所述黏性胶球触碰掩模版上的残胶的保持时间为1～30秒，以实现所述黏性胶球与残胶的结合。7.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于：在所述黏性胶球触碰掩模版上的残胶的过程中，通过选择不同的黏性胶球直径以及触碰的压力以控制所述黏性胶球与掩模版的接触面积。8.根据权利要求1所述的掩模版上残胶的去除方法，其特征在于：所述黏性胶球的直径为5～10mm。2CN105988308A说明书1/4页一种掩模版上残胶的去除方法技术领域[0001]本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种掩模版上残胶的去除方法。背景技术[0002]设计与工艺制造之间的接口是版图。版图是一组相互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。版图与所采用的制备工艺紧密相关。光刻掩模版(PhotoMask)包含了整个硅片的芯片图形特征，是光刻复制图形的基准和蓝本，掩模版上的任何缺陷都会对最终图形精度产生严重的影响。掩模版质量的优劣直接影响光刻图形的质量。[0003]掩模版在曝光机上反复使用或者仓库存储过程中，由于客观条件的限制，一段时间以后，极其容易受到沾污或者是贴在掩模版上的薄膜的破损。在芯片的制造过程中，这是不能接受的。此时，对于掩模版进行维护便显得尤为重要。[0004]通常，芯片制造工厂不具备对掩模版进行维护的条件，便需要讲掩模版送回掩模版制造工厂。由于芯片制造工厂对于时间的紧迫性，因此，在对掩模版进行维护时，绝对不允许对掩模版造成任何的损坏和报废。[0005]在掩模版制造工厂维护最重要一步就是把已经存在掩模版上的膜撕掉，以便于后续的维修和清洗。掩模版和膜的膜框通常是由一种胶进行黏着在一起，由于附着时间较长，在撕膜过程中很难将膜框连带其胶完整的从掩模版上剥离下来，所以多少会残留部分胶在掩模版上。而该胶又很难用后续的化学办法去除。过去通常的做法是用镊子将胶(通常该胶的厚度为0.25mm)夹住然后拉起直至完全从掩模版上剥离下来。由于胶的厚度非常薄，所以对镊子的使用技巧要求非常的高，稍不留意就会触碰到掩模版，从而造成划伤。这对于掩模版的维护来说是致命的。对于芯片制造工厂来说是不可接受的。[0006]鉴于以上所述，提供一种能有效去除掩模版上残胶，且不会造成掩模版损伤的残胶的去除方法实属必要。发明内容[0007]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种掩模版上残胶的去除方法，用于解决现有技术中掩模版上残胶去除时容易造成掩