等离子残胶去除装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763207A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211425591.8(22)申请日2022.11.14(71)申请人上海邦芯半导体科技有限公司地址201508上海市金山区卫昌路293号2幢12638室(72)发明人邱勇(74)专利代理机构北京清大紫荆知识产权代理有限公司11718专利代理师郑纯黎飞鸿(51)Int.Cl.H01J37/32(2006.01)G03F7/42(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称等离子残胶去除装置(57)摘要本说明书实施例提供一种等离子残胶去除装置，包括射频匹配器、远程离子源、相互连接的屏蔽罩和工艺腔体，工艺腔体的上部设置有匀气盘，匀气盘与工艺腔体之间绝缘，工艺腔体内部对应匀气盘的下部内壁连接有晶圆载台，其中，匀气盘、晶圆载台、屏蔽罩和工艺腔体均由金属良导体制成；在去除光刻胶残胶的工艺中，匀气盘被配置成电连接射频匹配器的射频高压，晶圆载台被配置成与屏蔽罩、工艺腔体共同射频接地，以使被远程离子源激发的等离子体在直流偏压作用下，轰击晶圆载台上的晶圆去除残胶。该等离子残胶去除装置仅采用一套射频匹配器，即可执行以往需要使用两套射频匹配器才能执行的去除残胶的工作，简化了设备结构、降低了设备成本。CN115763207ACN115763207A权利要求书1/1页1.一种等离子残胶去除装置，其特征在于，包括射频匹配器、远程离子源、相互连接的屏蔽罩和工艺腔体；所述工艺腔体的上部设置有匀气盘，所述匀气盘与所述工艺腔体之间绝缘，所述工艺腔体内部对应所述匀气盘的下部内壁连接有晶圆载台；在去除光刻胶残胶的工艺中，所述匀气盘被配置成电连接所述射频匹配器的射频高压，所述晶圆载台被配置成与所述屏蔽罩、所述工艺腔体共同射频接地，以使被所述远程离子源激发的等离子体在直流偏压作用下，轰击所述晶圆载台承载的晶圆，去除所述晶圆上的残胶；其中，所述匀气盘、所述晶圆载台、所述屏蔽罩和所述工艺腔体均由金属良导体制成。2.根据权利要求1所述的等离子残胶去除装置，其特征在于，所述远程离子源的包括绝缘介质管、套设在所述绝缘介质管外侧的线圈以及连接所述绝缘介质管的气体缓冲区罩；所述气体缓冲区罩的下侧边缘连接所述匀气盘的上侧边缘。3.根据权利要求2所述的等离子残胶去除装置，其特征在于，所述线圈的第一端电连接所述射频匹配器的输出端，其第二端电连接所述气体缓冲区罩；或，所述线圈的第一端和所述气体缓冲区罩并联所述射频匹配器的输出端，所述线圈的第二端射频接地；其中，所述气体缓冲区罩由金属良导体制成。4.根据权利要求2所述的等离子残胶去除装置，其特征在于，所述绝缘介质管的直径小于所述气体缓冲区罩的直径。5.根据权利要求2所述的等离子残胶去除装置，其特征在于，所述气体缓冲区罩为喇叭形。6.根据权利要求1所述的等离子残胶去除装置，其特征在于，所述匀气盘的面积和所述晶圆载台承载的晶圆的面积相当。7.根据权利要求1所述的等离子残胶去除装置，其特征在于，所述工艺腔体中还设置有绝缘内衬，所述绝缘内衬设置于等离子体轰击区域与所述工艺腔体的内侧壁之间，用于约束等离子，其中，所述等离子体轰击区域为所述匀气盘和所述晶圆载台之间的区域。8.根据权利要求7所述的等离子残胶去除装置，其特征在于，所述绝缘内衬包括相互垂直的竖直圆环和水平圆环，所述竖直圆环围绕于所述晶圆载台，所述水平圆环抵接于所述工艺腔体的上部内壁。9.根据权利要求7所述的等离子残胶去除装置，其特征在于，所述绝缘内衬还设置有抽气气孔，所述抽气气孔连通抽气管道，用于排出被电离后的高活性气体。10.根据权利要求1所述的等离子残胶去除装置，其特征在于，所述工艺腔体朝向所述气体缓冲区罩一侧设置有腔体盖，所述匀气盘设置于所述腔体盖中，并通过绝缘环与所述腔体盖绝缘，其中，所述腔体盖由金属良导体制成。2CN115763207A说明书1/6页等离子残胶去除装置技术领域[0001]本说明书涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种等离子残胶去除装置。背景技术[0002]现有的光刻机残胶去除机构一般包括两套射频匹配器，根据其布置的位置以及所述连接的设备分为上射频匹配器和下射频匹配器，上射频匹配器连接离子源，用于在真空腔室中产生辉光放电现象，将工艺气体电离；下射频匹配器连接晶圆载台，并被设置成与上射频匹配器电性相反，在直流偏压作用下，承载于晶圆载台的晶圆暴露在等离子体环境下，被持续轰击，晶圆上的光刻胶会在物理(离子持续轰击)和化学(电感耦合电离出高活性反应介质)的作用下被去除。但是，由于采用两套射频匹配器，光刻机残胶去除机构的结构复杂、设备成本高。发明内容[0003]鉴于现有技术存在的问题，