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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115318717A(43)申请公布日2022.11.11(21)申请号202210935065.X(22)申请日2022.08.05(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人王振华闻旭赵春雨李华徐振康(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211专利代理师戴广志(51)Int.Cl.B08B3/02(2006.01)B08B13/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称去除烘烤单元加热板PI残胶的方法(57)摘要本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种去除烘烤单元加热板PI残胶的方法。去除烘烤单元加热板PI残胶的方法包括:将带有PI残胶的烘烤单元加热板设于清洗区域;将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中,使得所述烘烤单元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中;清洁所述烘烤单元加热板以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂。本申请提供的去除烘烤单元加热板PI残胶的方法,可以解决相关技术中烘烤单元加热板上PI胶残留严重的问题。CN115318717ACN115318717A权利要求书1/1页1.一种去除烘烤单元加热板PI残胶的方法,其特征在于,所述去除烘烤单元加热板PI残胶的方法包括:将带有PI残胶的烘烤单元加热板设于清洗区域;将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中,使得所述烘烤单元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中;清洁所述烘烤单元加热板以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂。2.如权利要求1所述的去除烘烤单元加热板PI残胶的方法,其特征在于,所述将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中,使得所述烘烤单元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中的步骤,包括:将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中5小时至7小时,使得所述烘烤单元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中。3.如权利要求1所述的去除烘烤单元加热板PI残胶的方法,其特征在于,所述清洁所述烘烤单元加热板以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂的步骤,包括:向所述烘烤单元加热板的表面喷淋去离子水,以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂;烘干所述烘烤单元加热板。4.如权利要求1所述的去除烘烤单元加热板PI残胶的方法,其特征在于,所述清洁所述烘烤单元加热板以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂的步骤,包括:擦拭去除所述烘烤单元加热板上,溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂。5.如权利要求1所述的去除烘烤单元加热板PI残胶的方法,其特征在于,所述将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中,使得所述烘烤单元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中的步骤,包括:将二甲基亚砜溶剂加热至60℃至80℃;将加热后的二甲基亚砜溶剂覆盖在烘烤单元加热板的表面,使得所述烘烤单元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂。2CN115318717A说明书1/3页去除烘烤单元加热板PI残胶的方法技术领域[0001]本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种去除烘烤单元加热板PI残胶的方法。背景技术[0002]PI(Polyimide,聚酰亚胺)薄膜在半导体及微电子工业领域应用广泛,可以用于集成电路器件的粒子遮挡膜、钝化层、缓冲内涂层和用作多层金属互联电路的层间层间介质层。[0003]相关技术中的PI薄膜工艺主要包括:涂胶和烘烤热固化过程。但是相关技术在对晶片进行涂胶操作后,晶片的边缘会有PI胶残留,进而在后续工序中通过烘烤单元对带有PI膜的晶片进行烘烤时,残留在晶片边缘的PI胶会流至晶片背面沾污烘烤单元的加热板。随着累积的烘烤作业,烘烤单元加热板上PI胶残留严重,会对后续操作的晶片造成不利影响。发明内容[0004]本申请提供了一种去除烘烤单元加热板PI残胶的方法,可以解决相关技术中烘烤单元加热板上PI胶残留严重的问题。[0005]为了解决背景技术中所述的技术问题,本申请提供一种去除烘烤单元加热板PI残胶的方法,所述去除烘烤单元加热板PI残胶的方法包括:[0006]将带有PI残胶的烘烤单元加热板设于清洗区域;[0007]将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中,使得所述烘烤单元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中;[0008]清洁所述烘烤单元加热板以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂。[0009]可选地,所述将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中,使得所述烘烤单元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中的步骤,包括:[